Статьи по ключевому слову "silicon"

Численное моделирование режимов работы гетероструктурных фотодиодов на основе нитевидных нанокристаллов арсенида индия на кремниевых подложках

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1
  • 7
  • 233
  • Страницы: 38-46

Влияние электронного и протонного облучения на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем температурном диапазоне

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1
  • 11
  • 253
  • Страницы: 9-20

Размерные эффекты при молекулярно-динамическом моделировании падения иона фуллерена на поверхность кремния

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 4
  • 11
  • 701
  • Страницы: 76-85

Исследование морфологии и состава наноразмерных гетероструктур AlGaN, полученных методом ПА МПЭ, на кремниевых подложках с использованием пористого кремния в качестве буферного слоя

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 5
  • 498
  • Страницы: 249-254

Фотоассистированная адсорбция молекул фермента на модифицированную поверхность кремниевой подложки

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 2
  • 625
  • Страницы: 444-448

Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 4
  • 643
  • Страницы: 434-438

Характеризация экситонной динамики методом электрохимической импедансной спектроскопии нанокристаллов перовскита CsPbBr3(I3) для фотовольтаического применения

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 5
  • 638
  • Страницы: 278-283

Селективный анализ состава паров с помощью нанонитей и спектроскопии электрического импеданса

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 3
  • 606
  • Страницы: 151-156

Влияние плазмохимической обработки подложек Si(001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 5
  • 628
  • Страницы: 122-127

Влияние температуры при гомоэпитаксиальном росте Si на Si(100) на характер картин дифракции быстрых отражённых электронов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 9
  • 676
  • Страницы: 112-116

Пленка Mg2Si на Si(111), полученная методом сверхбыстрого реактивного осаждения Mg: структура и термоэлектрические свойства

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 12
  • 807
  • Страницы: 106-111

Изменение морфологии многослойного пористого кремния при ступенчатом уменьшении плотности тока травления

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 6
  • 596
  • Страницы: 100-105

Перовскитная электрохимическая светоизлучающая ячейка на кремнии для детектирования света

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 3
  • 662
  • Страницы: 94-99

Ультратонкие моносилициды Cr и Fe на подложке Si(111): формирование, оптические и термоэлектрические свойства

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 14
  • 1053
  • Страницы: 84-89

Особенности формирования оксидных пористых структур на основе SiO2–SnOх

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 13
  • 635
  • Страницы: 10-15

Получение пленок Mn4 Si7 методом магнетронного распыления и широкий спектр их термоэлектрических свойств

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 2
  • 14
  • 1441
  • Страницы: 78-88

Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 5
  • 1108
  • Страницы: 176-181

Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 16
  • 1187
  • Страницы: 50-54

Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 15
  • 1233
  • Страницы: 39-43

Моделирование параметров черенковского гамма-телескопа TAIGA-IACT с камерой на полупроводниковых фотодетекторах

Астрофизика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 8
  • 1086
  • Страницы: 423-428

Разработка детекторного кластера на кремниевых фотоумножителях для черенковского гамма-телескопа taiga-iact

Астрофизика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 14
  • 1100
  • Страницы: 410-416

Исследование кинетики истекания тока из электронно-дырочной плазмы, создаваемой в кремниевых детекторах релятивистскими тяжелыми ионами

Ядерная физика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 4
  • 1198
  • Страницы: 295-301

Радиационная стойкость кремниевых полупроводниковых детекторов при облучении продуктами деления радионуклида 252Cf

Ядерная физика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 5
  • 1182
  • Страницы: 287-294

Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT:PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 32
  • 1304
  • Страницы: 10-17

Влияние пика Брэгга на электрические характеристики кремниевых детекторов, облученных ионами 40Ar средней энергии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 4
  • 1150
  • Страницы: 416-421

Композиции на основе пористого кремния и оксида никеля, полученные совместным синтезом

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 15
  • 1406
  • Страницы: 393-397

Численное моделирование распределения температурного поля в зоне роста графена, выращиваемого на SiC подложках

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 20
  • 1330
  • Страницы: 309-314

Dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon with different surface orientation

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 8
  • 1242
  • Страницы: 162-166

Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 15
  • 1236
  • Страницы: 153-157

Эволюция кристаллической микроструктуры гибридных подложек SiC/Si во время роста методом замещения атомов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 9
  • 1297
  • Страницы: 113-118

Самоорганизация структуры пористого карбида кремния под внешними воздействиями

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 5
  • 1254
  • Страницы: 79-83

Исследование адсорбционных свойств квазиодномерных наноструктур кремния методом спектроскопии электрического импеданса

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 20
  • 1254
  • Страницы: 43-48

Излучение высокоэнергетических электронов при каналировании в искривленных монокристаллах кремния и германия

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1
  • 14
  • 1811
  • Страницы: 33-50

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 21
  • 1698
  • Страницы: 311-314

Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 25
  • 1746
  • Страницы: 281-284

Изучение оптических характристик INP нановключений интегрированных на Si (100)

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 16
  • 1689
  • Страницы: 260-264

Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 19
  • 1935
  • Страницы: 123-127

Исследование деградации характеристик фоточувствительных структур с пористым кремнием

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 10
  • 1760
  • Страницы: 82-85

Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 16
  • 1705
  • Страницы: 59-63

Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 19
  • 1696
  • Страницы: 54-58

Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 10
  • 1680
  • Страницы: 36-41

Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 21
  • 1746
  • Страницы: 31-35

Влияние начального рельефа поверхности Si на формирование рипплов при облучении ионами O2+

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 29
  • 1789
  • Страницы: 8-12

Кремниевая наноантенна для контроля поляризации излучения одиночного квантового источника света

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 6
  • 1845
  • Страницы: 235-239

Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H(i)/ μc-Si:H(n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 13
  • 1829
  • Страницы: 150-154

Зависимость чувствительности светоадресуемого потенциометрического сенсора от фотоиндуцированных процессов в Si

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 14
  • 1697
  • Страницы: 135-139

Исследование адсорбционнымх свойств квази 1-Д наноструктур кремния

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 42
  • 1917
  • Страницы: 10-15

Вольтамперные и фотоэлектрические свойства диодов por-Si/Si-p/Si-n с разной толщиной пористого слоя

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 14
  • 2118
  • Страницы: 143-148

Влияние плотности тока, времени анодирования и освещения на толщину пористого кремния в пластинах со встроенным p–n переходом и его фотолюминесценцию

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 14
  • 1982
  • Страницы: 137-142

Влияние толщины и отжига смачивающего слоя Si(001)2×1-Cu на морфологию слоистых нанопленок на основе Fe, Co и Cu и их ферромагнитные свойства

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 19
  • 2098
  • Страницы: 131-136

Структуры и электрическая проводимость на начальных стадиях роста Mg на Si(111)-Pb

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 8
  • 2147
  • Страницы: 107-112

Эволюция морфологии мезопористого порошка кремния, сформированного Pd-стимулированным химическим травлением при температурах 25-75 °C

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 10
  • 2037
  • Страницы: 93-100

Гигантский латеральный фотовольтаический эффект в гетероструктуре TiO2/SiO2/p-Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 2214
  • Страницы: 32-37

Электронная структура и оптические свойства пленок Cа2Si, выращенных кремниевых подложках с различной ориентацией и рассчитанных из первых принципов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 34
  • 2108
  • Страницы: 16-21

Формирование, структура и оптические свойства однофазных пленок CaSi И CaSi2 на Si подложках

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 60
  • 2179
  • Страницы: 9-15

Оптико-электрические фазовые характеристики кремниевых наносандвичей с отрицательной корреляционной энергией

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2021
  • Том: 14
  • Выпуск: 4
  • 70
  • 3094
  • Страницы: 9-20

Вклад процессов внутренней ионизации полупроводников в тормозные потери энергии релятивистских электронов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2020
  • Том: 13
  • Выпуск: 3
  • 44
  • 4880
  • Страницы: 7-14

Влияние легирующей примеси на эффективность преобразования солнечной энергии гетероструктурой CdS/por-Si/p-Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2020
  • Том: 13
  • Выпуск: 2
  • 32
  • 4722
  • Страницы: 17-26

Термодинамический анализ процессов взаимодействия тетрафторида кремния и гексафторсиликатов с водород- и кислородсодержащими веществами

Физическое материаловедение
  • Год: 2020
  • Том: 13
  • Выпуск: 1
  • 53
  • 5249
  • Страницы: 92-105

Диффузионно‐реакционная модель взаимодействия силицидообразующего металла с карбидом кремния

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 5710
  • Страницы: 64-71

Свойства полупроводниковой структуры с p–n-переходом, сформированным в пленке пористого кремния под действием лазерного излучения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 1
  • 29
  • 6247
  • Страницы: 18-25

Распространение электронов и позитронов в прямых и периодически изогнутых плоскостных и аксиальных каналах в монокристаллах кремния

Теоретическая физика
  • Год: 2015
  • Выпуск: 3
  • 359
  • 6036
  • Страницы: 173-184

Особенности амплитудных спектров кремниевого детектора гамма-излучения

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2013
  • Выпуск: 3
  • 708
  • 6531
  • Страницы: 99-105

Фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света в периодических массивах нановключений кремния в диоксиде циркония

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 5788
  • Страницы: 71-78

Способ формирования аморфных и кристаллических нанокластеров кремния в диэлектрических пленках

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 5569
  • Страницы: 66-71

Механические напряжения в пленках нитрида галлия, выращенных на подложках с маской

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 3
  • 1
  • 5743
  • Страницы: 14-16

Моделирование распыления поверхности карбида кремния при бомбардировке ионами и кластерами

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 5468
  • Страницы: 67-74

Образование пар Френкеля в кремнии под действием электронов и протонов высоких энергий

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 5876
  • Страницы: 13-21

Разработка технологии изготовления и исследование моделей кровеносных сосудов

Биофизика и медицинская физика
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 5719
  • Страницы: 75-79

Особенности образования дефектов в кремнии при бомбардировке молекулярными ионами

Физическая электроника
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 5991
  • Страницы: 64-70

Определение радиационных потерь плазмы токамака Глобус-М с использованием кремниевых фотодиодов SPD

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2012
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 5474
  • Страницы: 70-74

Выращивание и исследование фотолюминесценции кремниево-германиевых структур, активированных эрбием, на подложках сапфира

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 1
  • 559
  • 6438
  • Страницы: 24-28

Улучшение и стабилизация оптических характеристик пористого кремния

Физическое материаловедение
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 659
  • 6499
  • Страницы: 130-136