НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    Подать статью

    Статьи по ключевому слову "silicon"

    Исследование температурной зависимости инфракрасной фотолюминесценции множественных квантовых ям GeSn/Si и GeSiSn/Si

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Чуманов И.В.Фирсов Д.Д.Коляда Д.В.Комков О.С.Скворцов И.В.Машанов В.И.Лошкарев И.Д.Тимофеев В.А.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 0
    • 34
    • Страницы: 45-50

    Время жизни электронов и дырок в чистом Si при темпе- ратуре 40 мК

    Объемные свойства полупроводников
    Исаков И.Д.Вербицкая Е.М.Еремин В.К.Фадеева Н.Н.Еремин И.В.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 1
    • 41
    • Страницы: 21-26

    Эффект резистивного переключения в гетероструктурах n-GaN/p-Si

    Физика конденсированного состояния
    Шугуров К. Ю. Можаров А.М.Кавеев А.К.Федоров В.В.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1
    • 16
    • 405
    • Страницы: 9-18

    Фемтосекундная лазерная модификация пленок аморфного кремния для приложений фотовольтаики и поляризационной оптики

    Физическая оптика
    Шулейко Д.В.Соколовская О.И.Мартышов М.Н.Сердобинцев А.А.Волковойнова Л.Д.Вениг С.Б.Пахольчук П.П.Кузьмин Е.В.Заботнов С.В.Кашкаров П.К.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 4.1
    • 11
    • 624
    • Страницы: 117-122

    Рост пленок Ca5Si3 методом МЛЭ на подложке Si(111): структура и оптические свойства

    Физика конденсированного состояния
    Галкин Н.Г.Галкин К.Н.Кропачев О.В.Доценко С.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 4.1
    • 2
    • 610
    • Страницы: 73-78

    Рост нитевидных нанокристаллов GaAs с частицей, богатой кремнием на вершине

    Физика конденсированного состояния
    Сибирев Н.В.Илькив И.В.Убыйвовк Е.В.Сошников И.П.Штром И.В.Резник Р.Р.Брюханова В.В.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 4.1
    • 8
    • 594
    • Страницы: 62-66

    Экспериментальное исследование и ab initio расчеты моделей Si(111)(2/3)√3×(2/3)√3-Mg

    Физика конденсированного состояния
    Рыжкова М.В.Бондаренко Л.В.Цуканов Д.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 4.1
    • 4
    • 601
    • Страницы: 26-30

    Происхождение латерального фотовольтаического эффекта в многослойной структуре SiO2/TeO2/Bi2Te3/n-Si(111)

    Физика конденсированного состояния
    Писаренко Т.А.Яковлев А.А.Мараров В.В.Балашев В.В.Игнатович К.В.Цуканов Д.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 4.1
    • 12
    • 600
    • Страницы: 15-20

    Композиты Si-Fe со встроенными нанокристаллами α-FeSi2: формирование и термоэлектрические свойства

    Физика конденсированного состояния
    Галкин К.Н.Кропачев О.В.Горошко О.А.Субботин Е.Ю.Горошко Д.Л.Галкин Н.Г.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 4.1
    • 5
    • 581
    • Страницы: 9-14

    Краситель на основе чернил перманентного маркера как инструмент для высокоразрешающей визуализации живых клеток на кремнии

    Биофизика и медицинская физика
    Абелит А.А.Бойцова Н.А.Верлов Н.А.Ступин Д.Д.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 3
    • 646
    • Страницы: 269-274

    Терморегулирование солнечных элементов с помощью наночастиц даун-конверсии

    Физическая оптика
    Би Цзячэнь Пан ХайхунЭйдельман Б.Л.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 1
    • 624
    • Страницы: 237-241

    Локализованное формирование капель Ga на нанопрофилированных подложках кремния

    Физика конденсированного состояния
    Ерёменко М.М.Шандыба Н.А.Черненко Н.Е.Кириченко Д.В.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 4
    • 663
    • Страницы: 57-59

    Особенности морфологии Si наноструктур, выращенных в мезо- и макропористых кремнеземах методом CVD

    Физическое материаловедение
    Еуров Д.А.Голубев В.Г.Грудинкин С.А.Курдюков Д.А.Кириленко Д.А.Яковлева А.А.Стовпяга Е.Ю.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 4
    • 664
    • Страницы: 252-257

    Структурные и оптические свойства слоев InP, полученных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения при различных температурах

    Физическое материаловедение
    Уваров А.В.Баранов А.И.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Поздеев В.А. Михайлов О.П.Никитина Е.В.Гудовских А.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 3
    • 708
    • Страницы: 247-251

    Исследование генерации второй гармоники в сферических мезопористых наночастицах Si/SiO2 на золоте

    Физическая оптика
    Фунтикова А.С.Можаров А.М.Шаров В.А.Новикова К.Н.Дворецкая Л. Н.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 5
    • 703
    • Страницы: 191-194

    Формирование черного кремния с использованием криогенного травления и слоя фоторезиста

    Физическая электроника
    Вячеславова Е.А.Мохов Д.В.Уваров А.В.Максимова А.А.Михайлов О.П.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 4
    • 733
    • Страницы: 182-186

    Формирование графеноподобной проводящей пленки на поверхности карбида кремния методом лазерной деструкции кремния

    Физическая электроника
    Климин В.С.Тарасов П.А.Григорьев М.Н.Гавриш П.Е.Ткачева А.А.Пташник В.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 3
    • 654
    • Страницы: 169-172

    Исследование формирования элементов терагерцовой фотоники методом плазменного травления

    Физическая электроника
    Климин В.С.Гусев Е.Ю.Поляков В.В.Тарасов П.А.Григорьев М.Н.Ван ШуменВан ЖаовэйЯнг ЛиюаньЖан ВэйАгеев О.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 3
    • 666
    • Страницы: 165-168

    Формирование метаматериалов на поверхности карбида кремния методом плазменной обработки

    Физическая электроника
    Климин В.С.Демьяненко А.В.Бобков И.Н.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 9
    • 723
    • Страницы: 161-164

    Состав и свойства наночастиц пористого кремния с осажденным циннаризином

    Физика конденсированного состояния
    Леньшин А.С.Полковникова Ю.А.Черноусова О.В.Фролова В.Е.Домашевская Э.П.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 6
    • 709
    • Страницы: 99-104

    Осаждение меди на пористом кремнии методом вакуумно-термического напыления

    Физика конденсированного состояния
    Ким К.Б.Черненко С.С.Нифталиев С.И.Фролова В.Е.Гречкина М.В.Григорян Г.С.Белокопытов Д.О.Чукавин А.И.Леньшин А.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 4
    • 731
    • Страницы: 59-64

    Фотодетектор на основе кремния с контактным слоем Mg2Si для коротковолнового ИК диапазона

    Физика конденсированного состояния
    Чернев И.М.Субботин Е.Ю.Козлов А.Г.Синотова С.А.Приходченко А.В.Лембиков А.О.Прокопьева Г.А.Горошко Д.Л.Галкин Н.Г.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 4
    • 709
    • Страницы: 53-58

    Влияние режима роста на транспортные свойства легированных плёнок Mg2Si

    Физика конденсированного состояния
    Субботин Е.Ю.Удилов А.Д.Прокопьева Г.А.Горошко Д.Л.Козлов А.Г.Чернев И.М.Лисенков О.Е.Хорошилов Д.А.Синотова С.А.Галкин Н.Г.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 6
    • 783
    • Страницы: 40-43

    Синтез нанопроволок типа ядро-оболочка на основе Mg2Si

    Физика конденсированного состояния
    Субботин Е.Ю.Козлов А.Г.Павлов Д.В.Лисенков О.Е.Удилов А.Д.Горошко Д.Л.Поляков М.В.Волкова Л.С.Прокопьева Г.А.Чернев И.М.Хорошилов Д.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 13
    • 710
    • Страницы: 36-39

    Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si(111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком

    Физика конденсированного состояния
    Шандыба Н.А.Ерёменко М.М.Духан Д.Д.Черненко Н.Е.Кириченко Д.В.Кугаевский А.Д.Махов И.С.Крыжановская Н.В.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 10
    • 783
    • Страницы: 19-22

    Мемристорный эффект в гетероструктурах на основе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия на кремнии

    Физика конденсированного состояния
    Шугуров К. Ю. Можаров А.М.Кавеев А.К.Федоров В.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 4
    • 20
    • 836
    • Страницы: 9-20

    Влияние дырочных состояний на электронные и электростатические свойства двухмерных слоев на основе гетероструктуры кремний-германий-кремний

    Физика конденсированного состояния
    Образцов К.В.Чибисов А.Н.Мамонова М.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 2
    • 28
    • 3965
    • Страницы: 22-29

    Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии

    Физика конденсированного состояния
    Голтаев А. С.Федина С.В.Федоров В.В.Можаров А.М.Новикова К.Н.Максимова А.А.Баранов А.И.Кавеев А.К.Павлов А.В.Минив Д.В.Устименко Р.В.Винниченко М.Я.Мухин И.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 2
    • 52
    • 4422
    • Страницы: 9-21

    Сенсорика кислот и щелочей на основе нитевидных нанокристаллов кремния

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Свинкин Н.А.Кондратьев В.М.Полозков Р.Г.Новикова К.Н.Зубов Ф.И.Можаров А.М.Большаков А.Д.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 19
    • 4090
    • Страницы: 145-151

    Влияние нанослоев Ge на эффект переключения сопротивления в структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Чэн Ю.Камаев Г.Н.Попов А.А.Володин В.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 9
    • 3910
    • Страницы: 134-139

    Исследование флуоресцентных свойств гибридных структур на основе углеродных точек, а также нитевидных нанокристаллов: GaP, GaN и Si

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Козко И.А.Карасёва Е.П.Свинкин Н.А.Ридер М.А.Вячеславова Е.А.Гридчин В.О.Федоров В.В.Кондратьев В.М.Большаков А.Д.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 14
    • 3944
    • Страницы: 77-82

    Исследование слоев GaPN(As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках

    Физическое материаловедение
    Никитина Е.В.Шубина К.Ю.Соболев М.С.Пирогов Е.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 16
    • 2940
    • Страницы: 275-278

    Кремний/графитовый нанокомпозит для анода литий-ионных аккумуляторов

    Физическое материаловедение
    Исокжанов Ш.Ш.Мазин Е.В.Кривецкий В.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 30
    • 3611
    • Страницы: 271-274

    Нелинейные оптические эффекты в мезопористых SiO2 и Si/SiO2 наночастицах

    Физическая оптика
    Масталиева В.А.Неплох В.В.Айбуш А.В.Стовпяга Е.Ю.Еуров Д.А.Винниченко М.Я.Караулов Д.А.Кириленко Д.А.Голубев В.Г.Смирнов А.Н.Макаров С.В.Курдюков Д.А.Мухин И.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 16
    • 2891
    • Страницы: 207-211

    Электронная зонная структура гексагональных политипов кремния

    Физика конденсированного состояния
    Чижова А.А.Никольская А.А.Зайцева Е.В.Конаков А. А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 4
    • 55
    • 4137
    • Страницы: 9-19

    Электрические характеристики полупроводниковых пленочных структур, полученных на гибкой подложке

    Физическая электроника
    Козловский А.В.Волковойнова Л.Д.Сердобинцев А.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 8
    • 2873
    • Страницы: 187-191

    Влияние диаметра на решеточную теплопроводность нанопроволок α-FeSi2 и ε-FeSi

    Математическое моделирование физических процессов
    Балаган С.А.Галкин Н.Г.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 11
    • 2965
    • Страницы: 107-111

    Поиски прямозонного бета-дисилицида железа: взаимодействие теоретических и экспериментальных подходов

    Математическое моделирование физических процессов
    Балаган С.А.Шевлягин А.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 5
    • 3059
    • Страницы: 103-106

    Синтез Mg2Si на кремниевых кристаллах с различным аспектным соотношением

    Физика конденсированного состояния
    Субботин Е.Ю.Козлов А.Г.Горошко Д.Л.Чернев И.М.Хорошилов Д.А.Лисенков О.Е.Жижченко А.Ю.Китань С.А.Галкин Н.Г.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 25
    • 3034
    • Страницы: 31-35

    Осаждение олова и золота на пористом кремнии методом вакуумно-термического напыления

    Физика конденсированного состояния
    Ким К.Б.Черненко С.С.Нифталиев С.И.Котов Г.И.Золотухин Д.С.Чукавин А.И.Леньшин А.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 18
    • 3051
    • Страницы: 20-24

    Автоматическая покраска клеток в мультиэлектродных матрицах: пилотное исследование

    Биофизика и медицинская физика
    Ступин Д.Д.Бойцова Н.А.Дубина Ф.М.Верлов Н.А.Абелит А.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 17
    • 3081
    • Страницы: 320-324

    Лазер-стимулированная олово-индуцированная кристаллизация кремния на гибких нетканых подложках

    Физическое материаловедение
    Карташова А.М.Сердобинцев А.А.Волковойнова Л.Д.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 11
    • 3428
    • Страницы: 261-265

    Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si

    Физическая электроника
    Вячеславова Е.А.Уваров А.В.Максимова А.А.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 22
    • 3066
    • Страницы: 199-203

    Влияние угла падения света на характеристики кремниевых солнечных элементов с различным текстурированием

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Ярчук Э.Я.Вячеславова Е.А.Монастыренко А.О.Гудовских А.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 11
    • 3007
    • Страницы: 134-137

    Резонансное рассеяние одиночных кремниевых наностолбиков для нелинейной оптики

    Математическое моделирование физических процессов
    Кондратьев В.М.Кузнецов А.Завьялова Е.С.Аникина М.А.Большаков А.Д.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 10
    • 3221
    • Страницы: 110-114

    Комбинированный подход к созданию шаблона на подложке SiO2/Si с использованием ионных пучков и жидкостного травления

    Физика конденсированного состояния
    Ерёменко М.М.Шандыба Н.А.Черненко Н.Е.Житяева Ю.Ю.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 16
    • 3080
    • Страницы: 75-78

    Влияние скорости изменения температуры на термомиграцию жидких включений в кремнии

    Физика конденсированного состояния
    Середин Б.М.Попов В.П.Малибашев А.В.Степченко А.Д.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 25
    • 3266
    • Страницы: 23-27

    Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии

    Математическое моделирование физических процессов
    Барыкин Д. А.Шугуров К. Ю. Можаров А.М.Мухин И.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3
    • 27
    • 3727
    • Страницы: 46-56

    Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией

    Физическое материаловедение
    Федоров В.В.Федина С.В.Кавеев А.К.Кириленко Д.А.Фалеев Н. Н.Мухин И.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 2
    • 47
    • 4508
    • Страницы: 120-133

    Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Чуманов И.В.Фирсов Д.Д.Коляда Д.В.Комков О.С.Скворцов И.В.Машанов В.И.Тимофеев В.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 50
    • 3689
    • Страницы: 62-67

    Исследование наноразмерных структур с использованием эффекта внутреннего трения

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Козодаев Д.А.Новиков И.А.Мошников В.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 21
    • 3891
    • Страницы: 37-42

    Численное моделирование режимов работы гетероструктурных фотодиодов на основе нитевидных нанокристаллов арсенида индия на кремниевых подложках

    Математическое моделирование физических процессов
    Дворецкая Л. Н.Можаров А.М.Голтаев А. С.Федоров В.В.Мухин И.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1
    • 26
    • 5013
    • Страницы: 38-46

    Влияние электронного и протонного облучения на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем температурном диапазоне

    Физика конденсированного состояния
    Козловский В.В.Лебедев А.А.Кузьмин Р. А.Малевский Д.А.Левинштейн М. Е.Оганесян Г.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1
    • 65
    • 4940
    • Страницы: 9-20

    Размерные эффекты при молекулярно-динамическом моделировании падения иона фуллерена на поверхность кремния

    Математическое моделирование физических процессов
    Карасёв К.П.Стрижкин Д.А.Карасёв П.А.Титов А.И.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 4
    • 26
    • 5057
    • Страницы: 76-85

    Исследование морфологии и состава наноразмерных гетероструктур AlGaN, полученных методом ПА МПЭ, на кремниевых подложках с использованием пористого кремния в качестве буферного слоя

    Физическое материаловедение
    Леньшин А.С.Золотухин Д.С.Середин П.В.Мизеров А.М.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 17
    • 4415
    • Страницы: 249-254

    Фотоассистированная адсорбция молекул фермента на модифицированную поверхность кремниевой подложки

    Физическая электроника
    Козловский А.В.Сердобинцев А.А.Стецюра С.В.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 7
    • 4711
    • Страницы: 444-448

    Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния

    Физическая электроника
    Вячеславова Е.А.Уваров А.В.Максимова А.А.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 18
    • 4573
    • Страницы: 434-438

    Характеризация экситонной динамики методом электрохимической импедансной спектроскопии нанокристаллов перовскита CsPbBr3(I3) для фотовольтаического применения

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Буджемила Л.Давыдов В.В.Ненашев Г.Алешин А.Н.Малышкин В.М.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 25
    • 4676
    • Страницы: 278-283

    Селективный анализ состава паров с помощью нанонитей и спектроскопии электрического импеданса

    Физика конденсированного состояния
    Кондратьев В.М.Козко И.А.Карасёва Е.П.Вячеславова Е.А.Шугабаев Т.Свинкин Н.А.Большаков А.Д.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 12
    • 4467
    • Страницы: 151-156

    Влияние плазмохимической обработки подложек Si(001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs

    Физика конденсированного состояния
    Ерёменко М.М.Никитина Л.С.Житяева Ю.Ю.Лахина Е.А.Климин В.С.Агеев О.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 23
    • 4547
    • Страницы: 122-127

    Влияние температуры при гомоэпитаксиальном росте Si на Si(100) на характер картин дифракции быстрых отражённых электронов

    Физика конденсированного состояния
    Кукенов О.И.Соколов А.С.Дирко В.В.Лозовой К.А.Коханенко А.П.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 20
    • 4552
    • Страницы: 112-116

    Пленка Mg2Si на Si(111), полученная методом сверхбыстрого реактивного осаждения Mg: структура и термоэлектрические свойства

    Физика конденсированного состояния
    Чернев И.М.Субботин Е.Ю.Аргунов Е.В.Козлов А.Г.Герасименко А.В.Галкин Н.Г.Поляков М.В.Волкова Л.С.Дудин А.А.Гуральник А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 57
    • 5637
    • Страницы: 106-111

    Изменение морфологии многослойного пористого кремния при ступенчатом уменьшении плотности тока травления

    Физика конденсированного состояния
    Леньшин А.С.Пешков Я.А.Черноусова О.В.Канныкин С.В.Гречкина М.В.Минаков Д.А.Золотухин Д.С.Агапов Б.Л.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 9
    • 4347
    • Страницы: 100-105

    Перовскитная электрохимическая светоизлучающая ячейка на кремнии для детектирования света

    Физика конденсированного состояния
    Баева М.Г.Гец Д.С.Полушкин А.С.Воробьев А.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 12
    • 4457
    • Страницы: 94-99

    Ультратонкие моносилициды Cr и Fe на подложке Si(111): формирование, оптические и термоэлектрические свойства

    Физика конденсированного состояния
    Галкин К.Н.Чернев И.М.Субботин Е.Ю.Маслов А.М.Кропачев О.В.Горошко Д.Л.Балаган С.А.Аргунов Е.В.Гутаковский А.К.Галкин Н.Г.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 24
    • 5013
    • Страницы: 84-89

    Особенности формирования оксидных пористых структур на основе SiO2–SnOх

    Физика конденсированного состояния
    Ким К.Б.Нифталиев С.И.Котов Г.И.Леньшин А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 23
    • 4900
    • Страницы: 10-15

    Получение пленок Mn4 Si7 методом магнетронного распыления и широкий спектр их термоэлектрических свойств

    Физическое материаловедение
    Бекпулатов И.Р.Лобода В.В.Нормурадов М.Т.Донаев Б.Д.Турапов И.Х.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 2
    • 31
    • 5984
    • Страницы: 78-88

    Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Вячеславова Е.А.Уваров А.В.Максимова А.А.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 11
    • 4961
    • Страницы: 176-181

    Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Кельнер Олег АлександровичЦацульников А.Ф.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 34
    • 4849
    • Страницы: 50-54

    Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Амельчук Д.Г.Мынбаева М.Г.Смирнов А.Н.Давыдов В.Ю.Лебедев С.П.Лебедев А.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 43
    • 5004
    • Страницы: 39-43

    Моделирование параметров черенковского гамма-телескопа TAIGA-IACT с камерой на полупроводниковых фотодетекторах

    Астрофизика
    Красильщиков А.М.Холупенко Е.Е.Бадмаев Д.В.Богданов А.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 19
    • 4594
    • Страницы: 423-428

    Разработка детекторного кластера на кремниевых фотоумножителях для черенковского гамма-телескопа taiga-iact

    Астрофизика
    Богданов А.А.Репман Г.А.Тубольцев Ю.В.Чичагов Ю.В.Холупенко Е.Е.Красильщиков А.М.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 30
    • 4916
    • Страницы: 410-416

    Исследование кинетики истекания тока из электронно-дырочной плазмы, создаваемой в кремниевых детекторах релятивистскими тяжелыми ионами

    Ядерная физика
    Фадеева Н.Н.Еремин В.К.Вербицкая Е.М.Еремин И.В.Видимина Ю.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 17
    • 4807
    • Страницы: 295-301

    Радиационная стойкость кремниевых полупроводниковых детекторов при облучении продуктами деления радионуклида 252Cf

    Ядерная физика
    Базлов Н.B.Дербин А.B.Драчнев И.C.Котина И.М.Коньков О.И.Ломская И.C.Микулич М.C.Муратова В.Семенов Д.А.Трушин М.В.Унжаков Е.B.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 23
    • 4780
    • Страницы: 287-294

    Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT:PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур

    Физическая электроника
    Вячеславова Е.А.Уваров А.В.Неплох В.В.Максимова А.А.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 50
    • 5507
    • Страницы: 10-17

    Влияние пика Брэгга на электрические характеристики кремниевых детекторов, облученных ионами 40Ar средней энергии

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Митина Д.Д.Вербицкая Е.М.Фадеева Н.Н.Еремин И.В.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 11
    • 4742
    • Страницы: 416-421

    Композиции на основе пористого кремния и оксида никеля, полученные совместным синтезом

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Халугарова К.Кондратьев В.М.Спивак Ю.М.Шомахов З.В.Мошников В.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 19
    • 5337
    • Страницы: 393-397

    Численное моделирование распределения температурного поля в зоне роста графена, выращиваемого на SiC подложках

    Математическое моделирование физических процессов
    Лебедев С.П.Приображенский С.Ю.Плотников А.В.Мынбаева М.Г.Лебедев А.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 31
    • 5536
    • Страницы: 309-314

    Dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon with different surface orientation

    Физика конденсированного состояния
    Королев Д.С.Терещенко А.Н.Никольская А.А.Михайлов А.Н.Белов А.И.Тетельбаум Д.И.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 15
    • 5058
    • Страницы: 162-166

    Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

    Физика конденсированного состояния
    Резник Р.Р.Гридчин В.О.Котляр К.П.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Самсоненко Ю.Б.Сошников И.П.Хребтов А.И.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 26
    • 5029
    • Страницы: 153-157

    Эволюция кристаллической микроструктуры гибридных подложек SiC/Si во время роста методом замещения атомов

    Физика конденсированного состояния
    Еремеев Ю.А.Воробьев М.Г.Гращенко А.С.Пирогов Е.В.Андреева В.Д.Осипов А.В.Кукушкин С.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 19
    • 5070
    • Страницы: 113-118

    Самоорганизация структуры пористого карбида кремния под внешними воздействиями

    Физика конденсированного состояния
    Мынбаева М.Г.Лебедев С.П.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 13
    • 5108
    • Страницы: 79-83

    Исследование адсорбционных свойств квазиодномерных наноструктур кремния методом спектроскопии электрического импеданса

    Физика конденсированного состояния
    Кондратьев В.М.Вячеславова Е.А.Морозов И.А.Налимова С.С.Мошников В.А.Гудовских А.С.Большаков А.Д.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 31
    • 5250
    • Страницы: 43-48

    Излучение высокоэнергетических электронов при каналировании в искривленных монокристаллах кремния и германия

    Математическое моделирование физических процессов
    Гавриловец В.В.Король А.В.Сушко Г.Б.Иванов В.К.Соловьёв А.В.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1
    • 36
    • 6694
    • Страницы: 33-50

    Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

    Физическое материаловедение
    Гридчин В.О.Резник Р.Р.Котляр К.П.Шугабаев Т.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 32
    • 5773
    • Страницы: 311-314

    Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

    Физическое материаловедение
    Бондаренко Д.Н.Гридчин В.О.Котляр К.П.Баранов А.И.Максимова А.А.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 38
    • 5853
    • Страницы: 281-284

    Изучение оптических характристик INP нановключений интегрированных на Si (100)

    Физическое материаловедение
    Мельниченко И.А.Крыжановская Н.В.Бердников Ю.С.Моисеев Э.И.Махов И.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 21
    • 5716
    • Страницы: 260-264

    Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства

    Физическая электроника
    Максимова А.А.Уваров А.В.Кириленко Д.А.Баранов А.И.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 42
    • 6457
    • Страницы: 123-127

    Исследование деградации характеристик фоточувствительных структур с пористым кремнием

    Математическое моделирование физических процессов
    Тишин П.Д.Шишкина Д.А.Шишкин И.А.Полуэктова Н.А.Латухина Н.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 11
    • 5969
    • Страницы: 82-85

    Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии

    Физика конденсированного состояния
    Никитина Л.С.Лахина Е.А.Ерёменко М.М.Балакирев С.В.Черненко Н.Е.Шандыба Н.А.Солодовник М.С.Агеев О.А.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 23
    • 5534
    • Страницы: 59-63

    Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

    Физика конденсированного состояния
    Ерёменко М.М.Балакирев С.В.Черненко Н.Е.Шандыба Н.А.Солодовник М.С.Агеев О.А.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 24
    • 5538
    • Страницы: 54-58

    Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs

    Физика конденсированного состояния
    Шандыба Н.А.Кириченко Д.В.Черненко Н.Е.Ерёменко М.М.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 16
    • 5683
    • Страницы: 36-41

    Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах

    Физика конденсированного состояния
    Резник Р.Р.Гридчин В.О.Котляр К.П.Убыйвовк Е.В.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 26
    • 5960
    • Страницы: 31-35

    Влияние начального рельефа поверхности Si на формирование рипплов при облучении ионами O2+

    Физика конденсированного состояния
    Смирнова М.А.Бачурин В.И.Чурилов А.Б.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 32
    • 6218
    • Страницы: 8-12

    Кремниевая наноантенна для контроля поляризации излучения одиночного квантового источника света

    Физическая оптика
    Барышникова К.В.Сергаева О.Н.Петров М.И.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 8
    • 5489
    • Страницы: 235-239

    Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H(i)/ μc-Si:H(n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния

    Физическая электроника
    Уваров А.В.Баранов А.И.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 17
    • 5677
    • Страницы: 150-154

    Зависимость чувствительности светоадресуемого потенциометрического сенсора от фотоиндуцированных процессов в Si

    Физическая электроника
    Козловский А.В.Стецюра С.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 19
    • 5304
    • Страницы: 135-139

    Исследование адсорбционнымх свойств квази 1-Д наноструктур кремния

    Физика конденсированного состояния
    Кондратьев В.М.Вячеславова Е.А.Морозов И.А.Налимова С.С.Мошников В.А.Гудовских А.С.Большаков А.Д.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 57
    • 5887
    • Страницы: 10-15

    Вольтамперные и фотоэлектрические свойства диодов por-Si/Si-p/Si-n с разной толщиной пористого слоя

    Физическая электроника
    Ян Д.Т.Галкин Н.Г.Галкин К.Н.Чернев И.М.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.1
    • 18
    • 6084
    • Страницы: 143-148

    Влияние плотности тока, времени анодирования и освещения на толщину пористого кремния в пластинах со встроенным p–n переходом и его фотолюминесценцию

    Физическая электроника
    Ян Д.Т.Галкин Н.Г.Галкин К.Н.Непомнящий А.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.1
    • 22
    • 5677
    • Страницы: 137-142

    Влияние толщины и отжига смачивающего слоя Si(001)2×1-Cu на морфологию слоистых нанопленок на основе Fe, Co и Cu и их ферромагнитные свойства

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Плюснин Н.И.Усачев П.А.Павлов В.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.1
    • 23
    • 5972
    • Страницы: 131-136

    Структуры и электрическая проводимость на начальных стадиях роста Mg на Si(111)-Pb

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Рыжкова М.В.Цуканов Д.А.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.1
    • 12
    • 6096
    • Страницы: 107-112

    Эволюция морфологии мезопористого порошка кремния, сформированного Pd-стимулированным химическим травлением при температурах 25-75 °C

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Воловликова О.В.Силаков Г.О.Гаврилов С.А.Лазоркина Е.Н.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.1
    • 12
    • 5804
    • Страницы: 93-100

    Гигантский латеральный фотовольтаический эффект в гетероструктуре TiO2/SiO2/p-Si

    Физика конденсированного состояния
    Писаренко Т.А.Коробцов В.В.Димитриев А.А.Балашев В.В.Железнов В.В.Яковлев А.А.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.1
    • 33
    • 6750
    • Страницы: 32-37

    Электронная структура и оптические свойства пленок Cа2Si, выращенных кремниевых подложках с различной ориентацией и рассчитанных из первых принципов

    Физика конденсированного состояния
    Галкин К.Н.Кропачев О.В.Маслов А.М.Чернев И.М.Субботин Е.Ю.Галкин Н.Г.Алексеев А.Ю.Мигас Дмитрий Борисович
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.1
    • 42
    • 6327
    • Страницы: 16-21

    Формирование, структура и оптические свойства однофазных пленок CaSi И CaSi2 на Si подложках

    Физика конденсированного состояния
    Галкин Н.Г.Галкин К.Н.Кропачев О.В.Чернев И.М.Доценко С.А.Горошко Д.Л.Субботин Е.Ю.Алексеев А.Ю.Мигас Дмитрий Борисович
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.1
    • 84
    • 6635
    • Страницы: 9-15

    Оптико-электрические фазовые характеристики кремниевых наносандвичей с отрицательной корреляционной энергией

    Физика конденсированного состояния
    Руль Н.И.Головин П.А.Баграев Н.Т.Клячкин Л.Е.Маляренко А.М.
    • Год: 2021
    • Том: 14
    • Выпуск: 4
    • 79
    • 6907
    • Страницы: 9-20

    Вклад процессов внутренней ионизации полупроводников в тормозные потери энергии релятивистских электронов

    Физика конденсированного состояния
    Васильев A.Э.Козловский В.В.Колгатин С.Н.
    • Год: 2020
    • Том: 13
    • Выпуск: 3
    • 45
    • 9126
    • Страницы: 7-14

    Влияние легирующей примеси на эффективность преобразования солнечной энергии гетероструктурой CdS/por-Si/p-Si

    Физика конденсированного состояния
    Трегулов В.В.
    • Год: 2020
    • Том: 13
    • Выпуск: 2
    • 37
    • 8990
    • Страницы: 17-26

    Термодинамический анализ процессов взаимодействия тетрафторида кремния и гексафторсиликатов с водород- и кислородсодержащими веществами

    Физическое материаловедение
    Зимин А.Р.Пашкевич Д.С.Маслова А.С.Капустин В.В.Алексеев Ю.И.
    • Год: 2020
    • Том: 13
    • Выпуск: 1
    • 67
    • 9809
    • Страницы: 92-105

    Диффузионно‐реакционная модель взаимодействия силицидообразующего металла с карбидом кремния

    Физика конденсированного состояния
    Александров О. В.Козловский В.В.
    • Год: 2009
    • Выпуск: 1
    • 0
    • 9243
    • Страницы: 64-71

    Свойства полупроводниковой структуры с p–n-переходом, сформированным в пленке пористого кремния под действием лазерного излучения

    Физика конденсированного состояния
    Трегулов В.В.Степанов В.А.Мельник Н.Н.
    • Год: 2018
    • Том: 11
    • Выпуск: 1
    • 31
    • 10043
    • Страницы: 18-25

    Распространение электронов и позитронов в прямых и периодически изогнутых плоскостных и аксиальных каналах в монокристаллах кремния

    Теоретическая физика
    Сушко Г.Б.Король А.В.Соловьёв А.В.
    • Год: 2015
    • Выпуск: 3
    • 360
    • 9751
    • Страницы: 173-184

    Особенности амплитудных спектров кремниевого детектора гамма-излучения

    Приборы и техника физического эксперимента
    Серебряков А.С.Мороз А.П.Бердников Я.А.Миллер М.Б.Ефремов Ю.В.Хрунов В.С.
    • Год: 2013
    • Выпуск: 3
    • 712
    • 10226
    • Страницы: 99-105

    Фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света в периодических массивах нановключений кремния в диоксиде циркония

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Чугров И.А.Ершов А.А.Нежданов А.В.Михайлов А.Н.Ершов А.В.
    • Год: 2010
    • Выпуск: 1
    • 0
    • 9267
    • Страницы: 71-78

    Способ формирования аморфных и кристаллических нанокластеров кремния в диэлектрических пленках

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Корчагина Т.Т.Володин В.А.
    • Год: 2010
    • Выпуск: 1
    • 0
    • 9066
    • Страницы: 66-71

    Механические напряжения в пленках нитрида галлия, выращенных на подложках с маской

    Физика конденсированного состояния
    Вороненков В.В.Цюк А.И.Зубрилов А.С.Леликов Ю.С.Шретер Ю.Г.
    • Год: 2011
    • Выпуск: 3
    • 1
    • 9412
    • Страницы: 14-16

    Моделирование распыления поверхности карбида кремния при бомбардировке ионами и кластерами

    Математическое моделирование физических процессов
    Григорьев П.Ю.Журкин Е.Е.
    • Год: 2011
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 9149
    • Страницы: 67-74

    Образование пар Френкеля в кремнии под действием электронов и протонов высоких энергий

    Физика конденсированного состояния
    Козловский В.В.Васильев A.Э.Емцев В.В.Оганесян Г.А.Колгатин С.Н.
    • Год: 2011
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 9818
    • Страницы: 13-21

    Разработка технологии изготовления и исследование моделей кровеносных сосудов

    Биофизика и медицинская физика
    Юхнев А.Д.Синицына Д.Э.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 3
    • 0
    • 9296
    • Страницы: 75-79

    Особенности образования дефектов в кремнии при бомбардировке молекулярными ионами

    Физическая электроника
    Карасёв П.А.Карабешкин К.В.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 3
    • 0
    • 9767
    • Страницы: 64-70

    Определение радиационных потерь плазмы токамака Глобус-М с использованием кремниевых фотодиодов SPD

    Приборы и техника физического эксперимента
    Ибляминова А.Д.Курскиев Г.С.Березуцкий А.А.Петров Ю.В.Забродский В.В.Толстяков С.Ю.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 4
    • 0
    • 9293
    • Страницы: 70-74

    Выращивание и исследование фотолюминесценции кремниево-германиевых структур, активированных эрбием, на подложках сапфира

    Физика конденсированного состояния
    Матвеев С.А.Денисов С.А.Чалков В.Ю.Шенгуров В.Г.Степихова М.В.
    • Год: 2013
    • Выпуск: 1
    • 559
    • 9916
    • Страницы: 24-28

    Улучшение и стабилизация оптических характеристик пористого кремния

    Физическое материаловедение
    Трегулов В.В.
    • Год: 2013
    • Выпуск: 2
    • 660
    • 10142
    • Страницы: 130-136