Фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света в периодических массивах нановключений кремния в диоксиде циркония

Экспериментально показано, что высокотемпературный (1000-1100 °С) отжиг (ВТО) многослойных нанопериодических (5-11 нм) структур (МНС) a-Si/ZrO[2] и a-SiO[x]/ZrO[2] приводит к появлению интенсивной фотолюминесценции (ФЛ) при комнатной температуре в области длин волн 750-850 нм. Спектры КРС в МНС свидетельствовали о формировании нанокристаллов кремния в кремнийсодержащих слоях структур при ВТО, ответственных за указанную полосу ФЛ. Обсуждается также влияние на ФЛ МНС малоразмерных кластеров кремния, дефектов оксида и гетерограниц.