Последние выпуски
Статьи из рубрики "Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы"
Управление фотолюминесценцией монослоев WSe2, интегрированных с плазмонными нанобампами, методом деформационной инженерии
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1.1
- 6
- 453
- Страницы: 56-63
Фотолюминесценция и фотоотражение длинноволновой гетероструктуры HgTe/CdHgTe
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1.1
- 3
- 461
- Страницы: 51-55
Исследование температурной зависимости инфракрасной фотолюминесценции множественных квантовых ям GeSn/Si и GeSiSn/Si
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1.1
- 6
- 463
- Страницы: 45-50
Гетероструктуры со сверхтонкими метаморфными буферными слоями InxGa1−xAs/GaAs(001) и КТ InAs/InGaAs, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1.1
- 8
- 506
- Страницы: 39-44
Излучательная рекомбинация в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1.1
- 4
- 438
- Страницы: 33-38
Анализ зарядового транспорта в туннельном переходе на основе магнитного изолятора CrCl3
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 22
- 4454
- Страницы: 72-76
Влияние подсветки на положительное магнетосопротивление высокоподвижного двумерного электронного газа в гетероструктуре GaAs/AlAs
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 12
- 4298
- Страницы: 67-71
Влияние различных типов фононов на разогрев двумерного электронного газа на гетероинтерфейсе GaN/AlGaN
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 23
- 4447
- Страницы: 58-66
Влияние магнитного поля на интерфейсные состояния в структурах с квантовыми ямами ZnSe/BeTe без общего атома
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 8
- 4371
- Страницы: 52-57
Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 25
- 4383
- Страницы: 46-51
Эффект Гуржи в точечных контактах в арсениде галлия
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 42
- 4426
- Страницы: 89-94
Поляризационная спектроскопия отражения алюминиевых наноантенн на поверхности излучающих гетероструктур GeSiSn/Si
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 41
- 4150
- Страницы: 83-88
Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1–ySby/InAsSbP с y = 0,07–0,12
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 27
- 3975
- Страницы: 77-82
Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 27
- 4573
- Страницы: 68-76
Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 52
- 4007
- Страницы: 62-67
Эффекты резонансного туннелирования в гетероструктуре GaAs/AlAs
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 58
- 4258
- Страницы: 55-61
Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 19
- 4979
- Страницы: 90-95
Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 18
- 5093
- Страницы: 85-89
Моделирование когерентной динамики экситонов в квантовой яме GaAs, наблюдаемой в эксперименте «накачка-зондирование»
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 23
- 5021
- Страницы: 79-84
Исследование инфракрасного фотоотклика от структуры с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 24
- 4959
- Страницы: 73-78
Магнето-межподзонные осцилляции сопротивления в одномерной латеральной сверхрешетке
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 25
- 4897
- Страницы: 67-72