Последние выпуски
Мынбаев Карим Джафарович
Место работы
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
194021, г. Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26
Стимулированное излучение в светодиодах на основе асимметричных гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 12
- 5161
- Страницы: 191-195
Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1-ySby/InAsSbP с y = 0,07−0,12
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 27
- 3762
- Страницы: 77-82
Фотолюминесценция самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов InAs, разбавленных азотом
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 15
- 3372
- Страницы: 34-37
Оптические характеристики пленок Hg0.7Cd0.3Te со стравленным поверхностным варизонным слоем
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 27
- 4123
- Страницы: 34-39
Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSbP на характеристики InAsSb-светодиодов
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 23
- 4003
- Страницы: 105-110
Оптические исследования гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 6
- 774
- Страницы: 91-94
Фотолюминесценция и фотоотражение отожженных пленок HgCdTe с большим содержанием CdTe
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1.1
- 10
- 225
- Страницы: 6-11
Излучательная рекомбинация в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1.1
- 2
- 212
- Страницы: 33-38
Фотолюминесценция и фотоотражение длинноволновой гетероструктуры HgTe/CdHgTe
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1.1
- 1
- 214
- Страницы: 51-55

