НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    • cover_87
    Год: 2026
    Том: 19
    Выпуск: 1.1
    Страниц: 169
    183
    11975
    Предыдущий выпускАрхив выпусковСледующий выпуск
    Подать статью
    Полный текст
    XML JATS
    Последние выпуски

    Фотолюминесценция и фотоотражение отожженных пленок HgCdTe с большим содержанием CdTe

    Объемные свойства полупроводников
    Балашов В.С.Ружевич М.С.Чуманов И.В.Фирсов Д.Д.Комков О.С.Мынбаев К.Д.Ремесник В.Г.Варавин В.С.Михайлов Н.Н.
    • 14
    • 480
    • Страницы: 6-11

    Индуцированная электрическим полем анизотропия поглощения и преломления терагерцового излучения в n-InSb

    Объемные свойства полупроводников
    Устименко Р.В.Шалыгин В.А.Караулов Д.А.Норватов И.А.Мелентьев Г.А.Винниченко М.Я.Фирсов Д.А.
    • 5
    • 439
    • Страницы: 12-20

    Время жизни электронов и дырок в чистом Si при темпе- ратуре 40 мК

    Объемные свойства полупроводников
    Исаков И.Д.Вербицкая Е.М.Еремин В.К.Фадеева Н.Н.Еремин И.В.
    • 15
    • 453
    • Страницы: 21-26

    Влияние происхождения алмаза на свойства NV-центров

    Объемные свойства полупроводников
    Яковлева В.В.Лихачев К.В.Музафарова М.В.Бабунц Р.А.Баранов П.Г.
    • 5
    • 468
    • Страницы: 27-32

    Излучательная рекомбинация в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Кириленко Я.Д.Мынбаев К.Д.Романов В.В.Баженов Н.Л.Моисеев К.Д.
    • 3
    • 416
    • Страницы: 33-38

    Гетероструктуры со сверхтонкими метаморфными буферными слоями InxGa1−xAs/GaAs (001) и КТ InAs/InGaAs, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Лакунцова О.Е.Климко Г.В.Седова И.В.Мясоедов Александр ВладимировичСеменов А.Прасолов Н.Д.Сорокин С.В.
    • 7
    • 483
    • Страницы: 39-44

    Исследование температурной зависимости инфракрасной фотолюминесценции множественных квантовых ям GeSn/Si и GeSiSn/Si

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Чуманов И.В.Фирсов Д.Д.Коляда Д.В.Комков О.С.Скворцов И.В.Машанов В.И.Лошкарев И.Д.Тимофеев В.А.
    • 5
    • 444
    • Страницы: 45-50

    Фотолюминесценция и фотоотражение длинноволновой гетероструктуры HgTe/CdHgTe

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Ружевич М.С.Мынбаев К.Д.Фирсов Д.Д.Чуманов И.В.Комков О.С.Варавин В.С.Михайлов Н.Н.
    • 3
    • 441
    • Страницы: 51-55

    Управление фотолюминесценцией монослоев WSe2, интегрированных с плазмонными нанобампами, методом деформационной инженерии

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Николаева А.В.Аникина М.А.Павлов Д.В.Максимов Ф.М.Кузнецов А.Кондратьев В.М.Шаров В.А.Кучмижак А.А.Большаков А.Д.
    • 6
    • 436
    • Страницы: 56-63

    Гибридизация между плазмонными модами графенового квадрата, экранированного металлическим затвором, и резонансами Фабри-Перо в барьерном слое

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Машинский К.В.Попов В.В.Фатеев Д.В.
    • 3
    • 410
    • Страницы: 64-68

    Межзонное поглощение и фотолюминесценция в линзообраз- ных квантовых точках: адиабатический подход

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Геворгян Д.Г.Гаваладжян С.П.Винниченко М.Я.Казарян Э.М.
    • 2
    • 440
    • Страницы: 69-74

    Влияние буферного слоя на механическую прочность интерфейса нанопровод-подложка

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Луцевич М.А.Шаров В.А.Кавеев А.К.Федоров В.В.Мухин И.С.
    • 3
    • 411
    • Страницы: 75-80

    Перовситные нитевидные микрокристаллы, генерирующие лазерное излучение в красном диапазоне

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Татаринов Д.А.Сапожникова Е.В.Семёнов Д.А.Пушкарёв А.П.
    • 4
    • 465
    • Страницы: 81-85

    Расходимость лазерного пучка вертикально-излучающего полупроводникового лазера с резонатором на основе двумерного фотонного кристалла

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Некрасов А.С.Золотарев В.В.Орешко И.В.Слипченко С.О.Пихтин Н.А.
    • 4
    • 461
    • Страницы: 86-91

    Зонная структура PT-симметричных фононных кристаллов

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Яшкин З.М.Захарченко М.В.Глинский Г. Ф.
    • 7
    • 481
    • Страницы: 92-97

    Микролазеры на основе квази-планарной геометрии, работающие при комнатной температуре

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Бабичев А.В.Ковач Я.Н.Драгунова А.С.Махов И.С.Крыжановская Н.В.Задиранов Ю.М.Салий Ю.А.Кулагина М.М.Бобров М.A.Васильев А.П.Блохин С.А.Малеев Н.А.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.Егоров А.Ю.
    • 6
    • 443
    • Страницы: 98-104

    Исследование низкочастотных шумов одномодовых вертикально-излучающих лазеров диапазона 89Х нм

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Бобров М.A.Блохин С.А.Ковач Я.Н.Блохин А.А.Малеев Н.А.Кузьменков А.Г.Марчий М.Н.Васильев А.П.
    • 2
    • 455
    • Страницы: 105-110

    Зависимость оптических взаимодействий в каскадных солнечных элементах от освещенности и температуры

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Корниенко П.Д.Эполетов В.С.Левина С.А.Ларионов В.Р.Минтаиров М.А.Нахимович М.В.Шварц М.З.
    • 6
    • 415
    • Страницы: 111-116

    Перспективы двухстороннего четырехпереходного гибридного солнечного элемента для концентраторной фотовольтаики

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Прудченко К.К.Контрош Е.В.Толкачев И.А.Аболмасов С.Н.Калиновский В.С.Теруков Е.И.
    • 3
    • 456
    • Страницы: 117-122

    Моделирование вольт-амперных характеристик и оптимизация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения с точечным тыльным контактом

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Малевская А.Д.Минтаиров М.А.Евстропов В.В.Малевский Д.А.Малевская А.В.Минтаиров С.А.Калюжный Н.А.
    • 1
    • 422
    • Страницы: 123-128

    Оптимизация гетероструктур AlGaN/GaN для транзисторов с высокой подвижностью электронов

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Родин С.Н.Цацульников А.Ф.
    • 2
    • 434
    • Страницы: 129-133

    Время отклика двумерных фотодетекторов, ограниченное собственными сопротивлением и ёмкостью

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Сафонов И.В.Свинцов Д.А.
    • 4
    • 420
    • Страницы: 134-140

    Измерение сопротивления образцов с разрешением по времени

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Васильев С.Я.Храпай В.С.Тихонов Е.С.
    • 8
    • 444
    • Страницы: 141-145

    Исследование самогибридизованных волноводных экситон-поляритонов в двумерном антиферромагнетике CrSBr при комнатной температуре

    Новые материалы
    Калантаевский И.Э.Горелкина Т.Д.Кравцов В.А.
    • 6
    • 463
    • Страницы: 146-150

    Генерация второй гармоники в йодовых квазидвумерных галогенидных перовскитных кристаллах

    Новые материалы
    Сапожникова Е.В.Семёнов Д.А.Аношкин С.С.Татаринов Д.А.Верхоглядов Г.А.Пушкарёв А.П.
    • 5
    • 454
    • Страницы: 151-155

    Роль диффузии носителей заряда в галогенидных перовскитных люминофорах с памятью для оптических вычислений

    Новые материалы
    Экгардт А.А.Сапожникова Е.В.Верхоглядов Г.А.Пушкарёв А.П.
    • 5
    • 420
    • Страницы: 156-161

    Переключение эффекта Керкера от одиночных наночастиц из Sb2Se3

    Новые материалы
    Колесникова А.Р.Синельник А.Д.Литвинов Д.А.
    • 7
    • 421
    • Страницы: 162-167