Исследование температурной зависимости инфракрасной фотолюминесценции множественных квантовых ям GeSn/Si и GeSiSn/Si

Изучение люминесцентных свойств множественных квантовых ям Ge_0.53Sn_0.47/Si и Ge_0.3Si_0.56Sn_0.14/Si позволили оценить энергии межзонных переходов между электронной Δ-подзоной в кремнии и дырочным уровнем в квантовой яме. Температурные исследования выявили изначальный рост интенсивности фотолюминесценции от 8 до 30 К, а затем — её снижение при дальнейшем нагреве. Аппроксимация полученных результатов позволила выявить энергии активации процессов, ответственных за температурное гашение люминесценции.