Гетероструктуры со сверхтонкими метаморфными буферными слоями InxGa1−xAs/GaAs (001) и КТ InAs/InGaAs, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Гетероструктуры со сверхтонкими (~220 нм) метаморфными буферными слоями InxGa1-xAs/GaAs (001) с корневым профилем изменения состава по индию выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследованы с использованием методов структурной характеризации. Из анализа изображений атомно-силовой микроскопии установлена взаимосвязь между шероховатостью поверхности и условиями роста градиентного слоя. Оценена плотность прорастающих дислокаций в структурах со сверхтонким градиентным слоем ~107 см-2, что согласуется с высокой средней скоростью изменения содержания In ~90% In/мкм. Представлены карты обратного пространства высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии, измеренные для симметричных (004) и асимметричных (224) отражений в геометрии скользящего отражения.