НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    Подать статью

    Статьи по ключевому слову "гетероструктуры"

    Фотолюминесценция и фотоотражение длинноволновой гетероструктуры HgTe/CdHgTe

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Ружевич М.С.Мынбаев К.Д.Фирсов Д.Д.Чуманов И.В.Комков О.С.Варавин В.С.Михайлов Н.Н.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 0
    • 36
    • Страницы: 51-55

    Гетероструктуры со сверхтонкими метаморфными буферными слоями InxGa1−xAs/GaAs(001) и КТ InAs/InGaAs, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Лакунцова О.Е.Климко Г.В.Седова И.В.Мясоедов Александр ВладимировичСеменов А.Прасолов Н.Д.Сорокин С.В.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 0
    • 34
    • Страницы: 39-44

    Излучательная рекомбинация в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Кириленко Я.Д.Мынбаев К.Д.Романов В.В.Баженов Н.Л.Моисеев К.Д.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 0
    • 35
    • Страницы: 33-38

    Оптопары на основе твердых растворов InAsSb для детектирования углекислого газа

    Физическая электроника
    Кунков Р.Э.Карандашев С.А.Климов А.А.Лухмырина Т.С.Ременный М.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 4
    • 649
    • Страницы: 178-182

    Оптические исследования гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP

    Физика конденсированного состояния
    Ружевич М.С.Кириленко Я.Д.Чуманов И.В.Фирсов Д.Д.Комков О.С.Мынбаев К.Д.Романов В.В.Моисеев К.Д.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 5
    • 676
    • Страницы: 91-94

    Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSbP на характеристики InAsSb–светодиодов

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Кириленко Я.Д.Ружевич М.С.Романов В.В.Моисеев К.Д.Дорогов М.В.Томкович М.В.Фирсов Д.Д.Чуманов И.В.Комков О.С.Мынбаев К.Д.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 22
    • 3908
    • Страницы: 105-110

    Влияние бомбардировки ионами аргона на состав, электронную структуру и физические свойства фторида кадмия

    Физическое материаловедение
    Абдувайитов А. А.Ташмухамедова Д. А.Умирзаков Б.Е.Бекпулатов И.Р.Хужаниёзов Д. Б.Лобода В.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3
    • 21
    • 3769
    • Страницы: 87-96

    Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1–ySby/InAsSbP с y = 0,07–0,12

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Ружевич М.С.Мынбаев К.Д.Баженов Н.Л.Романов В.В.Моисеев К.Д.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 27
    • 3667
    • Страницы: 77-82

    Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Чуманов И.В.Фирсов Д.Д.Коляда Д.В.Комков О.С.Скворцов И.В.Машанов В.И.Тимофеев В.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 50
    • 3689
    • Страницы: 62-67

    Эффекты резонансного туннелирования в гетероструктуре GaAs/AlAs

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Доморацкий Е.В.Захарченко М.В.Глинский Г. Ф.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 57
    • 3933
    • Страницы: 55-61

    Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Осинных И.В.Малин Т.В.Милахин Д.С.Журавлев К.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 28
    • 4348
    • Страницы: 43-48

    Структурные характеристики поверхности пленок нитрида алюминия-галлия на нанослоях карбида кремния на кремнии

    Физическое материаловедение
    Гращенко А.С.Кукушкин С.А.Шарофидинов Ш.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 12
    • 4733
    • Страницы: 223-227

    Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs

    Физика конденсированного состояния
    Никитина Е.В.Березовская Т.Н.Пирогов Е.В.Василькова Е.И.Шубина К.Ю.Синицкая О.А.Соболев М.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 12
    • 4466
    • Страницы: 133-137

    Исследование температурной зависимости энергетического спектра метаморфных гетероструктур InSb/In(Ga,Al)As/GaAs с помощью метода инфракрасной Фурье-спектроскопии фотоотражения

    Физика конденсированного состояния
    Чуманов И.В.Фирсов Д.Д.Соловьёв В.А.Чернов М.Ю.Комков О.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 33
    • 4717
    • Страницы: 47-52

    Поляриметрия волноводных гетероструктур с квантовыми яма-точками

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Харченко А.А.Надточий А.М.Минтаиров С.А.Калюжный Н.А.Максимов М.В.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 12
    • 4728
    • Страницы: 140-145

    Моделирование профиля состава осевой гетероструктуры GaAs/AlAs в нитевидных нанокристаллах

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Лещенко Е.Д.Дубровский В.Г.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 15
    • 4619
    • Страницы: 96-100

    Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

    Объемные свойства полупроводников
    Осинных И.В.Малин Т.В.Журавлев К.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 23
    • 5143
    • Страницы: 33-38

    Фотолюминесценция и перенос энергии между квантовыми ямами CdTe/CdMnTe, разделенными широкими барьерами

    Физика конденсированного состояния
    Агекян В.Ф.Философов Н.Г.Карчевский Г.Резницкий А.Н.Серов А.Ю.Смирнов А.Штром И.В.Вербин С.Ю.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 41
    • 5527
    • Страницы: 49-53

    Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с временным разрешением методом АП-конверсии

    Физика конденсированного состояния
    Мельниченко И.А.Надточий А.М.Иванов К.А.Махов И.С.Максимов М.В.Минтаиров С.А.Калюжный Н.А.Крыжановская Н.В.Жуков А.Е.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 34
    • 5417
    • Страницы: 22-27

    Конденсация экситонов в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/Si1-xGex/Si

    Физика конденсированного состояния
    Шепель Д. В.Пташкин Н. С.Бурбаев Т.М.
    • Год: 2010
    • Выпуск: 3
    • 0
    • 9662
    • Страницы: 7-13

    Влияние электрического поля и температуры на эмиссию фотовозбужденных носителей из квантовых точек арсенида индия в матрицу арсенида галлия

    Физика конденсированного состояния
    Гладышев Е.Е.Горшков А.П.
    • Год: 2009
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 8940
    • Страницы: 11-14

    Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций

    Физика конденсированного состояния
    Мамаев В.В.Сидоров В.Г.Петров С.И.Алексеев А.Н.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 4
    • 1
    • 9130
    • Страницы: 28-31