Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

В настоящей работе представлены результаты расчетной и экспериментальной зависимости интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности возбуждения для легированных кремнием слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что анализ зависимости интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности возбуждения с помощью модели элек- тронных переходов в GaN  при межзонной генерации электрон-дырочных пар позволяет определить механизм рекомбинации и концентрации доноров и акцепторов в полупроводнике.