Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания
Авторы:
Аннотация:
В представленной работе сообщается о разработке метода прямого сращивания гетероэпитаксиальных слоев 3C-SiC, выращенных на Si подложках, и монокристаллических пластин 6H-SiC. Обнаружено, что температура сращивания является критическим параметром для получения механического контакта между переносимыми слоями и несущими пластинами. Результаты характеризации показали, что кристаллическая структура гомоэпитаксиальных слоёв 3С-SiC, выращенных на подложках, полученных методом сращивания, соответствует чистой кубической фазе высокого качества.