Последние выпуски
- 2026, Том 19 Выпуск 1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 4.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
Лебедев Александр Александрович
Место работы
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Численное моделирование распределения температурного поля в зоне роста графена, выращиваемого на SiC подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 31
- 5254
- Страницы: 309-314
Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 42
- 4707
- Страницы: 39-43
Теоретическое исследование взаимодействия макромолекулы с квазисвободным и эпитаксиальным графеном, сформированном на политипах карбида кремния
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3
- 212
- 5020
- Страницы: 87-94
Влияние электронного и протонного облучения на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем температурном диапазоне
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1
- 64
- 4597
- Страницы: 9-20