Лебедев Александр Александрович
  • Место работы
    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
  • Санкт-Петербург, Российская Федерация

Численное моделирование распределения температурного поля в зоне роста графена, выращиваемого на SiC подложках

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 20
  • 1311
  • Страницы: 309-314

Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 15
  • 1213
  • Страницы: 39-43

Теоретическое исследование взаимодействия макромолекулы с квазисвободным и эпитаксиальным графеном, сформированном на политипах карбида кремния

Физика молекул
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3
  • 82
  • 1095
  • Страницы: 87-94

Влияние электронного и протонного облучения на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем температурном диапазоне

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1
  • 11
  • 226
  • Страницы: 9-20