НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    АвторМалевский Дмитрий Андреевич
    Подать статью
    Последние выпуски
    Малевский Дмитрий Андреевич
    Малевский Дмитрий Андреевич
    Место работы
    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
    Санкт-Петербург, Российская Федерация

    Определение диффузных свойств линз Френеля

    Приборы и техника физического эксперимента
    Шварц М.З.Малевский Д.А.Нахимович М.В.Покровский П.В.Садчиков Н.А.Солуянов А.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 16
    • 5006
    • Страницы: 478-483

    Энергоинформационное фотоприемное устройство

    Физическая оптика
    Когновицкий С.О.Малевский Д.А.Теруков Е.И.Яковлев С.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 17
    • 5158
    • Страницы: 160-164

    Высокотемпературные высоковольтные p-i-n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Солдатенков Федор ЮрьевичИванов А.Е.Малевский Д.А.Левин С.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 14
    • 3600
    • Страницы: 155-159

    Влияние электронного и протонного облучения на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем температурном диапазоне

    Физика конденсированного состояния
    Козловский В.В.Лебедев А.А.Кузьмин Р. А.Малевский Д.А.Левинштейн М. Е.Оганесян Г.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1
    • 64
    • 4928
    • Страницы: 9-20

    Оптимизация параметров фронтальной контактной сетки фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Малевская А.Д.Минтаиров М.А.Евстропов В.В.Малевский Д.А.Малевская А.В.Калюжный Н.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 15
    • 3891
    • Страницы: 111-116

    Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p-i-n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Солдатенков Федор ЮрьевичПуговкин А.А.Иванов А.Е.Малевский Д.А.Левин С.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 7
    • 4009
    • Страницы: 140-144