Последние выпуски
Малевский Дмитрий Андреевич
Место работы
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Высокотемпературные высоковольтные p-i-n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 14
- 3602
- Страницы: 155-159
Влияние электронного и протонного облучения на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем температурном диапазоне
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1
- 64
- 4933
- Страницы: 9-20
Оптимизация параметров фронтальной контактной сетки фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 15
- 3897
- Страницы: 111-116
Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p-i-n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 7
- 4011
- Страницы: 140-144
Моделирование вольт-амперных характеристик и оптимизация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения с точечным тыльным контактом
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1.1
- 0
- 21
- Страницы: 123-128

