НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    АвторИванов Антон Евгеньевич
    Подать статью
    Последние выпуски
    Иванов Антон Евгеньевич
    Иванов Антон Евгеньевич

    Комплексное исследование распределения светового и температурного полей в мощных AlInGaN светодиодах конструкции «UX:3»

    Физическая электроника
    Иванов А.Е.Аладов А.В.Черняков А.Е.Закгейм А.Л.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 15
    • 5694
    • Страницы: 142-146

    Комплексное исследование энергетических возможностей светодиодов UV-C в импульсном и непрерывном режимах

    Физика конденсированного состояния
    Иванов А.Е.Черняков А.Е.Закгейм А.Л.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 11
    • 4844
    • Страницы: 167-171

    Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Тальнишних Н.А.Иванов А.Е.Шабунина Е.И.Шмидт Н.П.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 18
    • 4798
    • Страницы: 85-89

    Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Иванов А.Е.Тальнишних Н.А.Черняков А.Е.Закгейм А.Л.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 29
    • 5073
    • Страницы: 170-175

    Высокотемпературные высоковольтные p-i-n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Солдатенков Федор ЮрьевичИванов А.Е.Малевский Д.А.Левин С.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 14
    • 3627
    • Страницы: 155-159

    Конкурирующие процессы в нитридных твёрдых растворах светодиодов с множественными квантовыми ямами

    Физическая электроника
    Иванов А.Е.Черняков А.Е.Тальнишних Н.А.Шабунина Е.И.Шмидт Н.П.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 7
    • 2748
    • Страницы: 177-181

    Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p-i-n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Солдатенков Федор ЮрьевичПуговкин А.А.Иванов А.Е.Малевский Д.А.Левин С.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 7
    • 4030
    • Страницы: 140-144