Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)

Целью данной работы было изучение энергетических характеристик светодиодов глубокого ультрафиолетового излучения и установление физических причин ограничения выходной оптической мощности и  эффективности преобразования энергии в таких устройствах. В ходе работы были экспериментально исследованы электрооптические характеристики мощных AlGaN flip-chip светодиодов глубокого ультрафиолетового диапазона (λ = 270 нм) в широком диапазоне токов и температур. На основе анализа полученных зависимостей в рамках ABC-модели сделаны выводы, что при относительно высокой внутренней квантовой  эффективности излучения ~70–90% и значении последовательного сопротивления ~1 Ω, основным фактором, ограничивающим энергетические возможности устройств, является низкая эффективность экстракции света. Последнее обусловлено сильным поглощением генерируемого света в объеме чипа и на контактах, а также полным внутренним отражением на границах AlGaN/сапфир и сапфир/воздух.