НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    • cover_65
    Год: 2023
    Том: 16
    Выпуск: 1.3
    Страниц: 193
    1128
    158108
    Предыдущий выпускАрхив выпусковСледующий выпуск
    Подать статью
    Полный текст
    XML JATS
    Последние выпуски

    Аналитический и численный расчеты магнитных свойств системы неупорядоченных спинов в модели Изинга

    Объемные свойства полупроводников
    Богословский Н.А.Петров П.В.Аверкиев Н.С.
    • 50
    • 4889
    • Страницы: 7-13

    Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

    Объемные свойства полупроводников
    Петрук А.Д.Харин Н.Ю.Винниченко М.Я.Норватов И.А.Федоров В.В.Фирсов Д.А.
    • 42
    • 4808
    • Страницы: 14-19

    Изучение свойств ядерной спиновой системы объемных слоев n-GaAs методом спектроскопии отогрева

    Объемные свойства полупроводников
    Литвяк В.М.Чербунин Р.В.Солдатенков Федор ЮрьевичКалевич В.К.Кавокин К.В.
    • 35
    • 5455
    • Страницы: 20-25

    Магнитосопротивление и эффект Холла в полуметалле Вейля WTe2

    Объемные свойства полупроводников
    Перевалова А.Н.Фоминых Б.М.Чистяков В.В.Наумов С.В.Неверов В.Н.Марченков В.В.
    • 111
    • 5637
    • Страницы: 26-32

    Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

    Объемные свойства полупроводников
    Осинных И.В.Малин Т.В.Журавлев К.С.
    • 23
    • 5157
    • Страницы: 33-38

    Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Амельчук Д.Г.Мынбаева М.Г.Смирнов А.Н.Давыдов В.Ю.Лебедев С.П.Лебедев А.А.
    • 43
    • 5020
    • Страницы: 39-43

    Повышение эффективности удаления остаточного полимера после переноса графена для повышения чувствительности сенсоров

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Барсуков Л.А.Некрасов Н.П.Ромашкин А.В.Бобринецкий И.И.Левин Д.Д.Неволин В.К.
    • 61
    • 5192
    • Страницы: 44-49

    Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Кельнер Олег АлександровичЦацульников А.Ф.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.
    • 34
    • 4869
    • Страницы: 50-54

    Формирование и магнитные свойства ультратонких пленок силицидов кобальта на поверхности кремния

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Моняк А.А.Гребенюк Г.С.Лобанова Е.Ю.Кузьмин М.В.
    • 49
    • 5097
    • Страницы: 55-61

    Кинетика преобразования тонкого двумерного слоя GaN, выращенного на поверхности AlN, при циклировании потока аммиака

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Майдэбура Я.Малин Т.В.Журавлев К.С.
    • 21
    • 4801
    • Страницы: 62-66

    Магнето-межподзонные осцилляции сопротивления в одномерной латеральной сверхрешетке

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Стрыгин И.С.Быков А.А.
    • 25
    • 4617
    • Страницы: 67-72

    Исследование инфракрасного фотоотклика от структуры с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Тимофеев В.А.Машанов В.И.Никифоров А.И.Скворцов И.В.Блошкин А.А.Лошкарев И.Д.Азаров И.А.Кириенко В.В.
    • 24
    • 4676
    • Страницы: 73-78

    Моделирование когерентной динамики экситонов в квантовой яме GaAs, наблюдаемой в эксперименте «накачка-зондирование»

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Султанов О.Ш.Югова И.А.Михайлов А.В.
    • 22
    • 4732
    • Страницы: 79-84

    Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Тальнишних Н.А.Иванов А.Е.Шабунина Е.И.Шмидт Н.П.
    • 18
    • 4798
    • Страницы: 85-89

    Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Кияницын С.Ю.Баранов А.И.Уваров А.В.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • 19
    • 4681
    • Страницы: 90-95

    Моделирование профиля состава осевой гетероструктуры GaAs/AlAs в нитевидных нанокристаллах

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Лещенко Е.Д.Дубровский В.Г.
    • 15
    • 4630
    • Страницы: 96-100

    Межзонная фотолюминесценция нитевидных нанокристаллов InAs (P)/Si

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Устименко Р.В.Винниченко М.Я.Караулов Д.А.Фирсов Д.А.Федоров В.В.Можаров А.М.Кириленко Д.А.Мухин И.С.
    • 34
    • 5034
    • Страницы: 101-107

    Спектроскопия временного разрешения одностенных углеродных нанотрубок в высоких терагерцевых полях

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Бурданова М.Г.Чиглинцев Э.Пауков М.И.Мишра П.Брехов К.Арсенин А.B.Волков В.С.Чернов А.И.
    • 28
    • 4847
    • Страницы: 108-111

    Подавление молекулярных энионных состояний в спектрах магнито-фотолюминесценции квантовых точeк InP/GaInP2 при температуре 30 К

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Афанасьев К.М.Лебедев Д.В.Власов А.С.Балунов П.А.Минтаиров А.М.
    • 17
    • 4829
    • Страницы: 112-116

    Электрически контролируемое переключение между пространственно разделенными проводящими каналами в квантовом точечном контакте

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Сарыпов Д.И.Похабов Д.А.Погосов А.Г.Жданов Е.Ю.Бакаров А.К.
    • 29
    • 5032
    • Страницы: 117-123

    Влияние направления постоянного тока в графене на дисперсию и усиление графеновых плазмонов

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Моисеенко И.М.Фатеев Д.В.
    • 14
    • 4827
    • Страницы: 124-127

    Исследование композитной структуры на основе серебра и кремниевых нанонитей

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Большаков В.О.Ермина А.А.Пригода К.В.Максимов М.Ю.Толмачев В.А.Жарова Ю.А.
    • 23
    • 4902
    • Страницы: 128-134

    Усиление однофотонной эмиссии кремний-вакансионных центров в наноалмазах с помощью золотой пленки

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Ромшин А.М.Грициенко А.В.Ильин А.С.Баграмов Р.Х.Филоненко В.П.Витухновский А.Г.Власов И.И.
    • 48
    • 4739
    • Страницы: 135-139

    Поляриметрия волноводных гетероструктур с квантовыми яма-точками

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Харченко А.А.Надточий А.М.Минтаиров С.А.Калюжный Н.А.Максимов М.В.
    • 12
    • 4744
    • Страницы: 140-145

    Растягиваемые плёнки углеродных нанотрубок как опто-механически контролируемые модуляторы терагерцового излучения

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Пауков М.И.Старченко В.В.Красников Д.В.Жуков С.С.Горшунов Б.П.Насибулин А.Г.Арсенин А.B.Волков В.С.
    • 10
    • 5073
    • Страницы: 146-150

    Оптически управляемый мемристор на основе пленки ZrO2 (Y) с наночастицами Au

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Рябова М.А.Филатов Д.О.Новиков А.С.Шенина М.Е.Антонов И.Н.Котомина В.Е.Лискин Д.А.Ершов А.В.Горшков О.Н.
    • 38
    • 5422
    • Страницы: 151-156

    Многоуровневая лазерная генерация в микродисковых лазерах с InAs/GaAs квантовыми точками

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Караборчев А.А.Махов И.С.Максимов М.В.Крыжановская Н.В.Жуков А.Е.
    • 26
    • 4868
    • Страницы: 157-162

    Волоконно-оптический передатчик спектрального диапазона 1.55 мкм на основе вертикально-излучающего лазера, изготовленного с применением технологии спекания пластин

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Ковач Я.Н.Блохин С.А.Бабичев А.В.Бобров М.A.Блохин А.А.Гладышев А.Г.Новиков И.И.Карачинский Л.Я.Воропаев К.О.Егоров А.Ю.
    • 22
    • 4753
    • Страницы: 163-169

    Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Иванов А.Е.Тальнишних Н.А.Черняков А.Е.Закгейм А.Л.
    • 29
    • 5072
    • Страницы: 170-175

    Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Вячеславова Е.А.Уваров А.В.Максимова А.А.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • 11
    • 4981
    • Страницы: 176-181

    Формирование омических контактов к слоям n-AlxGa1-xN:Si с высоким содержанием алюминия

    Новые материалы
    Семенов А.Нечаев Д.B.Березина Д.Гусева Ю.А.Кулагина М.М.Смирнова И.П.Задиранов Ю.М.Трошков С.Шмидт Н.П.
    • 30
    • 4739
    • Страницы: 182-187

    Переключаемые суперрезонансные состояния в метаповерхностях на основе материалов с фазовой памятью

    Новые материалы
    Кутузова А.А.Рыбин М.В.
    • 27
    • 5195
    • Страницы: 188-191