Год: 2023 Том: 16 Выпуск: 1.3
Страниц: 193
678 42185

Аналитический и численный расчеты магнитных свойств системы неупорядоченных спинов в модели Изинга

Объемные свойства полупроводников
  • 35
  • 1408
  • Страницы: 7-13

Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

Объемные свойства полупроводников
  • 30
  • 1278
  • Страницы: 14-19

Изучение свойств ядерной спиновой системы объемных слоев n-GaAs методом спектроскопии отогрева

Объемные свойства полупроводников
  • 21
  • 1507
  • Страницы: 20-25

Магнитосопротивление и эффект Холла в полуметалле Вейля WTe2

Объемные свойства полупроводников
  • 75
  • 1598
  • Страницы: 26-32

Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

Объемные свойства полупроводников
  • 17
  • 1343
  • Страницы: 33-38

Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • 17
  • 1330
  • Страницы: 39-43

Повышение эффективности удаления остаточного полимера после переноса графена для повышения чувствительности сенсоров

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • 26
  • 1369
  • Страницы: 44-49

Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • 16
  • 1264
  • Страницы: 50-54

Формирование и магнитные свойства ультратонких пленок силицидов кобальта на поверхности кремния

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • 17
  • 1366
  • Страницы: 55-61

Кинетика преобразования тонкого двумерного слоя GaN, выращенного на поверхности AlN, при циклировании потока аммиака

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • 14
  • 1317
  • Страницы: 62-66

Магнето-межподзонные осцилляции сопротивления в одномерной латеральной сверхрешетке

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 14
  • 1210
  • Страницы: 67-72

Исследование инфракрасного фотоотклика от структуры с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 18
  • 1292
  • Страницы: 73-78

Моделирование когерентной динамики экситонов в квантовой яме GaAs, наблюдаемой в эксперименте «накачка-зондирование»

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 14
  • 1210
  • Страницы: 79-84

Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 13
  • 1178
  • Страницы: 85-89

Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 5
  • 1173
  • Страницы: 90-95

Моделирование профиля состава осевой гетероструктуры GaAs/AlAs в нитевидных нанокристаллах

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 9
  • 1251
  • Страницы: 96-100

Межзонная фотолюминесценция нитевидных нанокристаллов InAs(P)/Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 15
  • 1307
  • Страницы: 101-107

Спектроскопия временного разрешения одностенных углеродных нанотрубок в высоких терагерцевых полях

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 13
  • 1305
  • Страницы: 108-111

Подавление молекулярных энионных состояний в спектрах магнито-фотолюминесценции квантовых точeк InP/GaInP2 при температуре 30 К

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 9
  • 1297
  • Страницы: 112-116

Электрически контролируемое переключение между пространственно разделенными проводящими каналами в квантовом точечном контакте

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 17
  • 1476
  • Страницы: 117-123

Влияние направления постоянного тока в графене на дисперсию и усиление графеновых плазмонов

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 7
  • 1364
  • Страницы: 124-127

Исследование композитной структуры на основе серебра и кремниевых нанонитей

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 12
  • 1390
  • Страницы: 128-134

Усиление однофотонной эмиссии кремний-вакансионных центров в наноалмазах с помощью золотой пленки

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 34
  • 1312
  • Страницы: 135-139

Поляриметрия волноводных гетероструктур с квантовыми яма-точками

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 7
  • 1179
  • Страницы: 140-145

Растягиваемые плёнки углеродных нанотрубок как опто-механически контролируемые модуляторы терагерцового излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 0
  • 1265
  • Страницы: 146-150

Оптически управляемый мемристор на основе пленки ZrO2(Y) с наночастицами Au

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 13
  • 1420
  • Страницы: 151-156

Многоуровневая лазерная генерация в микродисковых лазерах с InAs/GaAs квантовыми точками

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 22
  • 1277
  • Страницы: 157-162

Волоконно-оптический передатчик спектрального диапазона 1.55 мкм на основе вертикально-излучающего лазера, изготовленного с применением технологии спекания пластин

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 17
  • 1322
  • Страницы: 163-169

Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 23
  • 1556
  • Страницы: 170-175

Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 5
  • 1175
  • Страницы: 176-181

Формирование омических контактов к слоям n-AlxGa1-xN:Si с высоким содержанием алюминия

Новые материалы
  • 13
  • 1165
  • Страницы: 182-187

Переключаемые суперрезонансные состояния в метаповерхностях на основе материалов с фазовой памятью

Новые материалы
  • 15
  • 1289
  • Страницы: 188-191