Кинетика преобразования тонкого двумерного слоя GaN, выращенного на поверхности AlN, при циклировании потока аммиака

В данной работе была исследована кинетика трансформации псевдоморфного слоя GaN и изучена эволюция постоянной решетки слоя GaN при периодическом выключении/включении потока аммиака при ростовой температуре 740 °C. По кинетике преобразования слоя GaN было показано, что термическое разложение практически отсутствует и не влияет на изменение морфологии слоя GaN. Экспериментально было  обнаружено, что образующийся с каждым циклом 2D "замороженный" слой GaN является частично релаксированным. Частичная релаксация объясняется в рамках модели равновесия Mariette, и связана с  незавершенностью обратного перехода 3D островков в 2D слой.