Год: 2023 Том: 16 Выпуск: 3.1
Страниц: 479
476 28424

Особенности формирования оксидных пористых структур на основе SiO2–SnOх

Физика конденсированного состояния
  • 11
  • 330
  • Страницы: 10-15

Эффект Холла в «размерных» топологических изоляторах Bi2Se3

Физика конденсированного состояния
  • 23
  • 343
  • Страницы: 16-20

Развитие морфологии поверхности германия при облучении ионами галлия

Физика конденсированного состояния
  • 8
  • 369
  • Страницы: 21-25

Новые методы синтеза высококачественных тонких пленок с помощью короткого и ультракороткого мощного импульсного магнетронного распыления

Физика конденсированного состояния
  • 3
  • 313
  • Страницы: 26-30

Пространственная фазовая самомодуляция света в жидких дисперсиях на основе конъюгатов фталоцианинов и углеродных нанотрубок

Физика конденсированного состояния
  • 6
  • 334
  • Страницы: 31-35

Исследование кристаллизации скопления роботов в параболическом потенциале

Физика конденсированного состояния
  • 8
  • 385
  • Страницы: 36-40

Капельная эпитаксия селективно-позиционированных наноструктур In/GaAs(001) с переменным дистанцированием: эксперимент и моделирование

Физика конденсированного состояния
  • 1
  • 327
  • Страницы: 41-46

Исследование температурной зависимости энергетического спектра метаморфных гетероструктур InSb/In(Ga,Al)As/GaAs с помощью метода инфракрасной Фурье-спектроскопии фотоотражения

Физика конденсированного состояния
  • 12
  • 369
  • Страницы: 47-52

Формирование симметричных наноуглублений методом локального капельного травления для позиционированного роста одиночных квантовых точек

Физика конденсированного состояния
  • 1
  • 348
  • Страницы: 53-58

Оптимизация тонких пленок перовскита с тройным катионом с помощью добавки PEAI

Физика конденсированного состояния
  • 4
  • 321
  • Страницы: 59-63

Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках

Физика конденсированного состояния
  • 5
  • 326
  • Страницы: 64-68

Свойства ультратонких эпитаксиальных пленок нитрида ниобия на сапфире с С–cut ориентацией

Физика конденсированного состояния
  • 1
  • 349
  • Страницы: 69-73

Исследования влияния потока мышьяка на термическую десорбцию собственного оксида GaAs и морфологию поверхности

Физика конденсированного состояния
  • 4
  • 310
  • Страницы: 74-78

Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si(111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs

Физика конденсированного состояния
  • 7
  • 357
  • Страницы: 79-83

Ультратонкие моносилициды Cr и Fe на подложке Si(111): формирование, оптические и термоэлектрические свойства

Физика конденсированного состояния
  • 12
  • 731
  • Страницы: 84-89

Металло-органические галогенидные перовскитные солнечные элементы с интегрированными нитевидными нанокристалллами фосфида галлия с улучшенными фотовольтаическими характеристиками

Физика конденсированного состояния
  • 1
  • 317
  • Страницы: 90-93

Перовскитная электрохимическая светоизлучающая ячейка на кремнии для детектирования света

Физика конденсированного состояния
  • 1
  • 340
  • Страницы: 94-99

Изменение морфологии многослойного пористого кремния при ступенчатом уменьшении плотности тока травления

Физика конденсированного состояния
  • 6
  • 336
  • Страницы: 100-105

Пленка Mg2Si на Si(111), полученная методом сверхбыстрого реактивного осаждения Mg: структура и термоэлектрические свойства

Физика конденсированного состояния
  • 11
  • 399
  • Страницы: 106-111

Влияние температуры при гомоэпитаксиальном росте Si на Si(100) на характер картин дифракции быстрых отражённых электронов

Физика конденсированного состояния
  • 8
  • 362
  • Страницы: 112-116

Влияние двухслойной PMHS/PDMS инкапсуляции на свойства CsPbBr3 PeLEC в условиях высокой влажности

Физика конденсированного состояния
  • 2
  • 328
  • Страницы: 117-121

Влияние плазмохимической обработки подложек Si(001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs

Физика конденсированного состояния
  • 2
  • 320
  • Страницы: 122-127

Детектирование суб-терагерцового излучения методом шумовой термометрии в графене

Физика конденсированного состояния
  • 8
  • 350
  • Страницы: 128-132

Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs

Физика конденсированного состояния
  • 4
  • 329
  • Страницы: 133-137

Влияние лазерного излучения на свойства наночастиц платины, полученных в газовом разряде

Физика конденсированного состояния
  • 4
  • 354
  • Страницы: 138-143

Применение пленок линейно-цепочечного углерода для чувствительных элементов датчиков влажности

Физика конденсированного состояния
  • 5
  • 318
  • Страницы: 144-150

Селективный анализ состава паров с помощью нанонитей и спектроскопии электрического импеданса

Физика конденсированного состояния
  • 3
  • 320
  • Страницы: 151-156

Детектирование давления со структурами ZnO в матрице ПДМС с помощью спектроскопии электрического импеданса

Физика конденсированного состояния
  • 1
  • 310
  • Страницы: 157-162

Логические элементы на основе углеродных нанотрубок

Физика конденсированного состояния
  • 7
  • 375
  • Страницы: 163-169

Особенности исследования жидких сред оптическим дифференциальным методом при экспресс-контроле

Физика конденсированного состояния
  • 1
  • 298
  • Страницы: 170-175

Глубокоуровневое излучение в наноструктурах ZnO, выращенных методом гидротермального синтеза

Физика конденсированного состояния
  • 7
  • 295
  • Страницы: 176-181

Наноосциляторы на основе углеродных вискеров в качестве детекторов оптомеханических эффектов

Физика конденсированного состояния
  • 2
  • 318
  • Страницы: 182-186

На пути к универсальной фотонике, основанной на нитевидных нанокристаллах GaP, декорированных углеродными точками

Физика конденсированного состояния
  • 2
  • 321
  • Страницы: 187-192

Моделирование начальных этапов формирования смачивающего слоя индия на As-стабилизированной подложке GaAs из первых принципов

Математическое моделирование физических процессов
  • 3
  • 296
  • Страницы: 193-197

Особенности формирования траектории движения ионов ртути-199 в квантовом стандарте частоты космического применения

Математическое моделирование физических процессов
  • 2
  • 386
  • Страницы: 198-203

Определение электрофизических параметров пьезоэлектриков через систему уравнений комплексной проводимости

Математическое моделирование физических процессов
  • 1
  • 330
  • Страницы: 204-208

Моделирование вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных структур для решения задач исследования целевых функций в задачах синтеза резонансно-туннельных диодов

Математическое моделирование физических процессов
  • 3
  • 351
  • Страницы: 209-215

Разная эффективность детектирования состояний в квантовом канале спутник-земля

Математическое моделирование физических процессов
  • 10
  • 358
  • Страницы: 216-220

Исследование фотоэлектрических параметров солнечных элементов с гетеропереходом ZnO/Cu2O

Математическое моделирование физических процессов
  • 3
  • 300
  • Страницы: 221-226

Теоретическое и экспериментальное исследование лазерной обработки никеля с использованием диодного лазера

Математическое моделирование физических процессов
  • 0
  • 324
  • Страницы: 227-231

Моделирование характеристик лавинных фотодиодов на основе Ge/Si

Математическое моделирование физических процессов
  • 1
  • 354
  • Страницы: 232-236

Оценка квантовой эффективности InGaAs/InP детекторов одиночных фотонов в составе системы распределения квантовых ключей

Математическое моделирование физических процессов
  • 5
  • 306
  • Страницы: 237-241

Исследование влияния формы зоны умножения на уровень темнового счета в InGaAs/InAlAs однофотонных лавинных фотодиодах

Математическое моделирование физических процессов
  • 3
  • 312
  • Страницы: 242-247

Измерения оптической проницаемости и электропроводности как экспресс-методы оценки концентраций графеновых суспензий

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • 1
  • 297
  • Страницы: 243-253

Исследование температурной зависимости проводимости массивов ZnO/Au и ZnO/SnO2 наностержней при воздействии комбинированного видимого и ультрафиолетового излучения

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • 3
  • 305
  • Страницы: 254-257

Влияние толщины плазмонных наноструктур золота на поверхностно-усиленное комбинационное рассеяние света

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • 6
  • 326
  • Страницы: 258-263

Газовые сенсоры на основе наностержней оксида цинка с коллоидными квантовыми точками

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • 1
  • 357
  • Страницы: 264-268

Исследование нанесения гетерогенных структур на ионообменные мембраны

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • 0
  • 302
  • Страницы: 269-272

Локализационная микроскопия источников одиночных фотонов в локально деформированных монослоях полупроводников

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • 7
  • 274
  • Страницы: 273-277

Характеризация экситонной динамики методом электрохимической импедансной спектроскопии нанокристаллов перовскита CsPbBr3(I3) для фотовольтаического применения

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • 2
  • 330
  • Страницы: 278-283

Пассивная оптическая схема протокола BB84 с поляризационным кодированием на платформе нитрида кремния

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • 9
  • 334
  • Страницы: 284-288

Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • 3
  • 314
  • Страницы: 289-293

Методы полировки для создания нанопористого оксида алюминия

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • 2
  • 288
  • Страницы: 294-297

Влияние длительности лазерного импульса на сверхбыстрый лазерный синтез углеродных точек из толуола

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • 8
  • 307
  • Страницы: 298-303

Морфология и элементный состав нитевидных кристаллов карбоната калия в пиротехническом пламени

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • 1
  • 296
  • Страницы: 304-309

Фотокаталитические свойства плазмонного нанокомпозита NiO – золото

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • 2
  • 283
  • Страницы: 310-315

Исследование оптических свойств нанопленок углерода в sp, sp2, sp3- гибридизированных состояниях и их использование для определения фазового состава углерода

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • 2
  • 320
  • Страницы: 316-320

Кинетика люминесценции квантовых точек CsPbBr3

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • 4
  • 330
  • Страницы: 321-324

Получение фототоксического комплекса на основе наночастиц серебра и рибофлавина, генерирующего активные формы кислорода

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • 3
  • 335
  • Страницы: 325-329

Измерение порогового тока в локальных областях кристалла светодиода

Приборы и техника физического эксперимента
  • 0
  • 294
  • Страницы: 330-334

Моделирование динамической вольтамперной характеристики микродугового оксидирования

Приборы и техника физического эксперимента
  • 0
  • 209
  • Страницы: 335-340

Программно-аппаратный комплекс для исследования электрофизических параметров активных диэлектриков

Приборы и техника физического эксперимента
  • 6
  • 300
  • Страницы: 341-345

Синтез тонкопленочных структур оксида ванадия методом спрей-пиролиза

Приборы и техника физического эксперимента
  • 1
  • 321
  • Страницы: 346-351

Влияние сульфидно-полиамидной пассивации на темновые токи InAlAs/InGaAs/InP лавинных фотодиодов

Приборы и техника физического эксперимента
  • 3
  • 314
  • Страницы: 352-356

Измерение фокусного расстояния линзованного оптического волокна: эксперимент и моделирование в приближении геометрической оптики

Приборы и техника физического эксперимента
  • 4
  • 296
  • Страницы: 357-361

Разработка устройства для измерения вольт-амперных и вольт-ваттных характеристик экспериментальных солнечных элементов

Приборы и техника физического эксперимента
  • 1
  • 284
  • Страницы: 362-367

Влияние параметров технологического процесса на свойства микродуговых оксидных покрытий

Приборы и техника физического эксперимента
  • 10
  • 331
  • Страницы: 368-373

Влияние мертвого времени детекторов на скорость генерации ключа в квантовом распределении ключей с недоверенным центральным узлом

Приборы и техника физического эксперимента
  • 4
  • 333
  • Страницы: 374-348

Экспериментальное исследование передачи данных в пассивной однопролетной ВОЛС с высокой информационной емкостью

Приборы и техника физического эксперимента
  • 0
  • 305
  • Страницы: 379-383

Система встречно-штыревых золотых электродов для кондуктометрического газового сенсора на поверхности стеклянной подложки

Приборы и техника физического эксперимента
  • 3
  • 321
  • Страницы: 384-389

Оптические и электрохимические свойства композитного материала на основе PEDOT:PSS и ориентированных волокон никеля

Приборы и техника физического эксперимента
  • 0
  • 273
  • Страницы: 390-395

Разработка малогабаритного цифрового микроскопа высокого разрешения для исследования микро- и наноструктур

Приборы и техника физического эксперимента
  • 1
  • 298
  • Страницы: 396-401

Синтез тонкопленочных структур оксида вольфрама методом спрей-пиролиза

Приборы и техника физического эксперимента
  • 0
  • 329
  • Страницы: 402-407

Разработка и исследование режимов работы зарядного устройства типа «игла-пластина» для зарядки наночастиц

Приборы и техника физического эксперимента
  • 4
  • 299
  • Страницы: 408-412

Применение рамановской спектроскопии и SERS для обнаружения грибов-деструкторов, способствующих биодеградации объектов культурного наследия в Государственной Третьяковской галерее

Приборы и техника физического эксперимента
  • 4
  • 311
  • Страницы: 413-417

Разработка блока пробоподготовки

Приборы и техника физического эксперимента
  • 2
  • 319
  • Страницы: 418-422

Тестирование быстрого электрохимического насоса с ПДМС мембраной

Физическая электроника
  • 1
  • 294
  • Страницы: 423-427

МЭМС-переключатель на основе кантилевера с увеличенным контактным усилием: первые результаты

Физическая электроника
  • 9
  • 339
  • Страницы: 428-433

Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния

Физическая электроника
  • 1
  • 322
  • Страницы: 434-438

Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая электроника
  • 2
  • 280
  • Страницы: 439-443

Фотоассистированная адсорбция молекул фермента на модифицированную поверхность кремниевой подложки

Физическая электроника
  • 2
  • 310
  • Страницы: 444-448

Моделирование и анализ гетероструктур для нормально закрытого p-канального GaN-транзистора

Физическая электроника
  • 8
  • 313
  • Страницы: 449-453

Моделирование емкостного МЭМС-переключателя с «плавающим» электродом

Физическая электроника
  • 9
  • 345
  • Страницы: 454-458

Исследование эффекта задержки лавины в детекторе одиночных фотонов с синусоидальным стробированием

Физическая электроника
  • 1
  • 318
  • Страницы: 459-462

Численное моделирование параметров энергоэффективного малошумящего транзистора для применения в усилительном тракте миниатюрного радиотермографа

Физическая электроника
  • 3
  • 278
  • Страницы: 463-467

Исследование влияния растворителей и поверхностно-активных веществ на электрические свойства пленок PEDOT:PSS

Физическая электроника
  • 2
  • 331
  • Страницы: 468-472

Вольт-фарадные характеристики слоев BP, выращенных методом PECVD

Физическая электроника
  • 1
  • 340
  • Страницы: 473-478