Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si(111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs

Проведены экспериментальные исследования влияния дозы и ускоряющего напряжения при ионно-лучевой обработке поверхности Si(111) на структуру подложки и процессы роста нанопроволок GaAs. По результатам исследований модифицированных областей, сформированных при ускоряющем напряжении ионного пучка 10 – 30 кВ и дозе 0,01 – 10,4 пКл/мкм², после роста нанопроволок GaAs, были построены зависимости основных характеристик ННК (плотность, длина и диаметр) от дозы ионного пучка. Показано, что основное влияние на характеристики сформированных нанопроволок оказывает доза ионов Ga, при этом ускоряющее напряжение, а, следовательно, и распределение ионов в приповерхностном слое при сплошной обработке поверхности имеют второстепенное значение.