Шандыба Никита Андреевич

Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 10
  • 1187
  • Страницы: 36-41

Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 6
  • 1269
  • Страницы: 42-47

Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 11
  • 1197
  • Страницы: 48-53

Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 15
  • 1226
  • Страницы: 54-58

Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 12
  • 1225
  • Страницы: 59-63

Независимое управление размером и формой наноструктур GaAs при капельной эпитаксии с помощью ультрамалого потока мышьяка

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 11
  • 1207
  • Страницы: 315-319