Крыжановская Наталья Владимировна
Крыжановская Наталья Владимировна

Исследование картин дальнего поля полупроводниковых микролазеров с активной областью на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 62
  • 7094
  • Страницы: 25-30

Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 26
  • 6064
  • Страницы: 31-35

Анализ характеристик InGaAs/GaAs микродисковых лазеров перенесенных на кремниевую подложку

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 33
  • 5564
  • Страницы: 163-166

Исследование оптической связи микролазеров с утоненным волокном

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 26
  • 6223
  • Страницы: 167-170

Изучение оптических характристик INP нановключений интегрированных на Si (100)

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 21
  • 5813
  • Страницы: 260-264

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 32
  • 5870
  • Страницы: 311-314

Интегральный оптический трансивер на базе III-V микродискового лазера и фотодиода

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 30
  • 5669
  • Страницы: 371-375

Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с временным разрешением методом АП-конверсии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 35
  • 5522
  • Страницы: 22-27

Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 26
  • 5135
  • Страницы: 153-157

Тепловые характеристики микролазеров III-V, перенесенных на кремниевую подложку

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 36
  • 5191
  • Страницы: 108-113

Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 49
  • 5427
  • Страницы: 114-120

Микрокольцевые лазеры с волноводным ответвителем

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 60
  • 5468
  • Страницы: 126-132

Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 68
  • 5745
  • Страницы: 179-184

Многоуровневая лазерная генерация в микродисковых лазерах с InAs/GaAs квантовыми точками

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 26
  • 4954
  • Страницы: 157-162

Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 20
  • 4530
  • Страницы: 64-68

Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 21
  • 5084
  • Страницы: 50-55

Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 13
  • 4627
  • Страницы: 255-260

Формирование квантовых точек путем осаждения InGaAs на структурированную поверхность GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 15
  • 3346
  • Страницы: 38-42

Исследование фотолюминесцентных свойств докритических квантовых точек InAs/GaAs, сформированных на структурированных подложках

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 3313
  • Страницы: 79-83

Исследование планарной структуры микрорезонатора с квантовыми точками In0.63Ga0.37As и непоглощающими зеркалами Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As

Физическая оптика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 24
  • 3452
  • Страницы: 233-237

Выращивание длинных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой ядро-оболочка методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при постепенном повышении температуры подложки

Физика молекул, кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 17
  • 2769
  • Страницы: 143-147

Утечка мод в подложку в микродисковых лазерах

Физическая оптика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 19
  • 2987
  • Страницы: 212-216

Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si (111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 11
  • 885
  • Страницы: 19-22

Исследование микродисковых лазеров с InGaN/GaN квантовой ямой в активной области при повышенных температурах

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 13
  • 953
  • Страницы: 125-128

Оптические свойства дисковых микрорезонаторов на основе широкозонных III-N материалов

Физическая оптика
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 6
  • 793
  • Страницы: 209-213

Оптические исследования меза-структур на основе квантовых ям InGaAs/GaAs с золь-гель пассивацией SiO2

Физическая оптика
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 5
  • 776
  • Страницы: 237-241

Оптические свойства и моделирование поверхностных плазмон поляритонов GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов на пленках Ag/AlOx для создания плазмонных нанолазеров

Физическое материаловедение
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 6
  • 797
  • Страницы: 278-282

Фотолюминесценция короткопериодных сверхрешеток InGaAs/InAlAs, выращенных на InP подложке

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 1
  • 813
  • Страницы: 95-98

Микродисковые лазеры с мостиковой контактной площадкой, сформированной методом мокрого химического травления

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 3
  • 796
  • Страницы: 24-28

Инжекционные торцевые микролазеры с активной областью на основе InGaAs/GaAs квантовых точек

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 8
  • 749
  • Страницы: 29-32

Спектральный состав излучения микролазера, сопряженного с волноводом

Физическая оптика
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 3
  • 729
  • Страницы: 200-204

Микролазеры на основе квази-планарной геометрии, работающие при комнатной температуре

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 3
  • 201
  • Страницы: 98-104