Моисеев Эдуард Ильмирович

Исследование картин дальнего поля полупроводниковых микролазеров с активной областью на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 34
  • 1355
  • Страницы: 25-30

Анализ характеристик InGaAs/GaAs микродисковых лазеров перенесенных на кремниевую подложку

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 17
  • 988
  • Страницы: 163-166

Исследование оптической связи микролазеров с утоненным волокном

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 11
  • 1065
  • Страницы: 167-170

Изучение оптических характристик INP нановключений интегрированных на Si (100)

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 10
  • 960
  • Страницы: 260-264

Интегральный оптический трансивер на базе III-V микродискового лазера и фотодиода

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 15
  • 926
  • Страницы: 371-375

Тепловые характеристики микролазеров III-V, перенесенных на кремниевую подложку

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 6
  • 434
  • Страницы: 108-113

Микрокольцевые лазеры с волноводным ответвителем

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 12
  • 492
  • Страницы: 126-132