Калюжный Николай Александрович
Калюжный Николай Александрович
Место работы
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
194021, г. Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26

Внешний квантовый выход фотоответа каскадных солнечных элементов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 9566
  • Страницы: 14-23

Оптимизация концентраторных трехпереходных солнечных элементов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 8959
  • Страницы: 11-18

Исследование картин дальнего поля полупроводниковых микролазеров с активной областью на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 62
  • 7011
  • Страницы: 25-30

Анализ характеристик InGaAs/GaAs микродисковых лазеров перенесенных на кремниевую подложку

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 33
  • 5483
  • Страницы: 163-166

Исследование оптической связи микролазеров с утоненным волокном

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 26
  • 6138
  • Страницы: 167-170

Интегральный оптический трансивер на базе III-V микродискового лазера и фотодиода

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 30
  • 5582
  • Страницы: 371-375

Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с временным разрешением методом АП-конверсии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 34
  • 5438
  • Страницы: 22-27

Влияние компенсирующих слоев GaP на характеристики фотопреобразователей GaAs со встроенными массивами квантовых точек InGaAs

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 18
  • 4905
  • Страницы: 411-415

Доминирующая рекомбинация в арсенид-галлиевом солнечном элементе через сжатую квантовую яму GaAs/In0.4Ga0.6As/GaAs

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 31
  • 5334
  • Страницы: 77-82

Тепловые характеристики микролазеров III-V, перенесенных на кремниевую подложку

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 35
  • 5108
  • Страницы: 108-113

Микрокольцевые лазеры с волноводным ответвителем

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 59
  • 5382
  • Страницы: 126-132

Поляриметрия волноводных гетероструктур с квантовыми яма-точками

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 12
  • 4744
  • Страницы: 140-145

Оптимизация параметров фронтальной контактной сетки фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 15
  • 3918
  • Страницы: 111-116

Микродисковые лазеры с мостиковой контактной площадкой, сформированной методом мокрого химического травления

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 2
  • 719
  • Страницы: 24-28

Влияние концентрации Al на пироэлектрические свойства твердых растворов AlGaInP2

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 7
  • 732
  • Страницы: 53-56

Моделирование вольт-амперных характеристик и оптимизация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения с точечным тыльным контактом

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 0
  • 60
  • Страницы: 123-128