Оптимизация концентраторных трехпереходных солнечных элементов
Авторы:
Аннотация:
Исследовано влияние параметров эпитаксиальной структуры каскадных солнечных элементов GalnP/ GalnAs/Ge на эффективность преобразования концентрированного солнечного излучения. Показано, что оптимальный выбор толщин и уровней легирования эмиттеров субэлементов GalnP и GalnAs позволяет повысить кпд солнечных элементов до 4 %.