Статьи из рубрики "Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства"

Измерение сопротивления образцов с разрешением по времени

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 10
  • 574
  • Страницы: 141-145

Время отклика двумерных фотодетекторов, ограниченное собственными сопротивлением и ёмкостью

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 5
  • 562
  • Страницы: 134-140

Оптимизация гетероструктур AlGaN/GaN для транзисторов с высокой подвижностью электронов

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 4
  • 580
  • Страницы: 129-133

Моделирование вольт-амперных характеристик и оптимизация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения с точечным тыльным контактом

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 2
  • 567
  • Страницы: 123-128

Перспективы двухстороннего четырехпереходного гибридного солнечного элемента для концентраторной фотовольтаики

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 4
  • 607
  • Страницы: 117-122

Зависимость оптических взаимодействий в каскадных солнечных элементах от освещенности и температуры

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 7
  • 551
  • Страницы: 111-116

Исследование низкочастотных шумов одномодовых вертикально-излучающих лазеров диапазона 89Х нм

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 3
  • 625
  • Страницы: 105-110

Микролазеры на основе квази-планарной геометрии, работающие при комнатной температуре

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 8
  • 576
  • Страницы: 98-104

Зонная структура PT-симметричных фононных кристаллов

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 8
  • 638
  • Страницы: 92-97

Расходимость лазерного пучка вертикально-излучающего полупроводникового лазера с резонатором на основе двумерного фотонного кристалла

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 6
  • 601
  • Страницы: 86-91

Сенсорика кислот и щелочей на основе нитевидных нанокристаллов кремния

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 20
  • 4562
  • Страницы: 145-151

Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p–i–n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 7
  • 4462
  • Страницы: 140-144

Влияние нанослоев Ge на эффект переключения сопротивления в структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 10
  • 4332
  • Страницы: 134-139

Влияние температуры на ширину спектральной линии излучения одномодовых ВИЛ спектрального диапазона 89Х нм

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 9
  • 4437
  • Страницы: 128-133

Нанокомпозиты WOx/WS2 для газовых сенсоров, работающих при комнатной температуре

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 19
  • 4459
  • Страницы: 122-127

Увеличение ширины полосы модуляции вертикально-излучающих лазеров 1550 нм при акцепторном легировании активной области

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 24
  • 4376
  • Страницы: 117-121

Оптимизация параметров фронтальной контактной сетки фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 15
  • 4311
  • Страницы: 111-116

Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSbP на характеристики InAsSb–светодиодов

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 27
  • 4337
  • Страницы: 105-110

Детекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 16
  • 4457
  • Страницы: 100-104

Термостабильные соединительные туннельные диоды GaAs/AlGaAs для многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 26
  • 4499
  • Страницы: 165-170

Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в солнечных элементах HJT архитектуры под действием облучения электронами

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 30
  • 4531
  • Страницы: 160-164

Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 15
  • 4067
  • Страницы: 155-159

Фототок в МДП-структурах на основе германосиликатных плёнок

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 32
  • 4584
  • Страницы: 149-154

Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 21
  • 4072
  • Страницы: 143-148

Потенциально гибкий сенсор на основе матрицы ZnO-ПДМС для измерения механической нагрузки

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 38
  • 4398
  • Страницы: 137-142

Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 12
  • 5415
  • Страницы: 176-181

Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 29
  • 5496
  • Страницы: 170-175

Волоконно-оптический передатчик спектрального диапазона 1.55 мкм на основе вертикально-излучающего лазера, изготовленного с применением технологии спекания пластин

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 22
  • 5162
  • Страницы: 163-169

Многоуровневая лазерная генерация в микродисковых лазерах с InAs/GaAs квантовыми точками

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 26
  • 5265
  • Страницы: 157-162

Оптически управляемый мемристор на основе пленки ZrO2(Y) с наночастицами Au

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 42
  • 5865
  • Страницы: 151-156

Растягиваемые плёнки углеродных нанотрубок как опто-механически контролируемые модуляторы терагерцового излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 11
  • 5517
  • Страницы: 146-150