Статьи из рубрики "Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства"

Измерение сопротивления образцов с разрешением по времени

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 8
  • 429
  • Страницы: 141-145

Время отклика двумерных фотодетекторов, ограниченное собственными сопротивлением и ёмкостью

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 4
  • 410
  • Страницы: 134-140

Оптимизация гетероструктур AlGaN/GaN для транзисторов с высокой подвижностью электронов

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 2
  • 417
  • Страницы: 129-133

Моделирование вольт-амперных характеристик и оптимизация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения с точечным тыльным контактом

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 1
  • 408
  • Страницы: 123-128

Перспективы двухстороннего четырехпереходного гибридного солнечного элемента для концентраторной фотовольтаики

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 3
  • 440
  • Страницы: 117-122

Зависимость оптических взаимодействий в каскадных солнечных элементах от освещенности и температуры

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 6
  • 401
  • Страницы: 111-116

Исследование низкочастотных шумов одномодовых вертикально-излучающих лазеров диапазона 89Х нм

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 2
  • 445
  • Страницы: 105-110

Микролазеры на основе квази-планарной геометрии, работающие при комнатной температуре

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 6
  • 432
  • Страницы: 98-104

Зонная структура PT-симметричных фононных кристаллов

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 7
  • 469
  • Страницы: 92-97

Расходимость лазерного пучка вертикально-излучающего полупроводникового лазера с резонатором на основе двумерного фотонного кристалла

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 4
  • 444
  • Страницы: 86-91

Сенсорика кислот и щелочей на основе нитевидных нанокристаллов кремния

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 20
  • 4413
  • Страницы: 145-151

Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p–i–n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 7
  • 4332
  • Страницы: 140-144

Влияние нанослоев Ge на эффект переключения сопротивления в структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 9
  • 4191
  • Страницы: 134-139

Влияние температуры на ширину спектральной линии излучения одномодовых ВИЛ спектрального диапазона 89Х нм

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 9
  • 4300
  • Страницы: 128-133

Нанокомпозиты WOx/WS2 для газовых сенсоров, работающих при комнатной температуре

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 19
  • 4330
  • Страницы: 122-127

Увеличение ширины полосы модуляции вертикально-излучающих лазеров 1550 нм при акцепторном легировании активной области

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 23
  • 4238
  • Страницы: 117-121

Оптимизация параметров фронтальной контактной сетки фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 15
  • 4183
  • Страницы: 111-116

Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSbP на характеристики InAsSb–светодиодов

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 24
  • 4201
  • Страницы: 105-110

Детекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 16
  • 4317
  • Страницы: 100-104

Термостабильные соединительные туннельные диоды GaAs/AlGaAs для многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 26
  • 4327
  • Страницы: 165-170

Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в солнечных элементах HJT архитектуры под действием облучения электронами

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 29
  • 4375
  • Страницы: 160-164

Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 15
  • 3913
  • Страницы: 155-159

Фототок в МДП-структурах на основе германосиликатных плёнок

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 32
  • 4444
  • Страницы: 149-154

Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 21
  • 3914
  • Страницы: 143-148

Потенциально гибкий сенсор на основе матрицы ZnO-ПДМС для измерения механической нагрузки

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 38
  • 4242
  • Страницы: 137-142

Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 11
  • 5277
  • Страницы: 176-181

Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 29
  • 5356
  • Страницы: 170-175

Волоконно-оптический передатчик спектрального диапазона 1.55 мкм на основе вертикально-излучающего лазера, изготовленного с применением технологии спекания пластин

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 22
  • 5033
  • Страницы: 163-169

Многоуровневая лазерная генерация в микродисковых лазерах с InAs/GaAs квантовыми точками

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 26
  • 5131
  • Страницы: 157-162

Оптически управляемый мемристор на основе пленки ZrO2(Y) с наночастицами Au

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 39
  • 5724
  • Страницы: 151-156

Растягиваемые плёнки углеродных нанотрубок как опто-механически контролируемые модуляторы терагерцового излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 11
  • 5364
  • Страницы: 146-150