НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    АвторУваров Александр Вячеславович
    Подать статью
    Последние выпуски
    Уваров Александр Вячеславович
    Уваров Александр Вячеславович
    Место работы
    Академический университет им. Ж.И. Алфёрова РАН
    Публикации
    Orcid ID
    0000-0002-0061-6687

    Изготовление и исследование УФ — фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

    Физическая электроника
    Казакин А.Н.Эннс Я.Б.Уваров А.В.Никитина Е.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 32
    • 6216
    • Страницы: 145-149

    Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H (i)/ μc-Si:H (n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния

    Физическая электроника
    Уваров А.В.Баранов А.И.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 18
    • 6175
    • Страницы: 150-154

    Оптимизация контактной сетки для солнечных элементов на основе GaP/Si

    Математическое моделирование физических процессов
    Богданова М.В.Уваров А.В.Гудовских А.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 12
    • 6243
    • Страницы: 93-96

    Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства

    Физическая электроника
    Максимова А.А.Уваров А.В.Кириленко Д.А.Баранов А.И.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 45
    • 7135
    • Страницы: 123-127

    Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

    Физическая оптика
    Синицкая О.А.Шубина К.Ю.Мохов Д.В.Уваров А.В.Филатов В.В.Мизеров А.М.Тимошнев С.Н.Никитина Е.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 37
    • 6191
    • Страницы: 157-162

    Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Кияницын С.Ю.Баранов А.И.Уваров А.В.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 20
    • 5199
    • Страницы: 90-95

    Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Вячеславова Е.А.Уваров А.В.Максимова А.А.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 14
    • 5519
    • Страницы: 176-181

    Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT: PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур

    Физическая электроника
    Вячеславова Е.А.Уваров А.В.Неплох В.В.Максимова А.А.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 52
    • 6125
    • Страницы: 10-17

    Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния

    Физическая электроника
    Вячеславова Е.А.Уваров А.В.Максимова А.А.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 19
    • 5128
    • Страницы: 434-438

    Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3

    Физическая электроника
    Синицкая О.А.Шубина К.Ю.Мохов Д.В.Уваров А.В.Мизеров А.М.Никитина Е.В.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 17
    • 4884
    • Страницы: 439-443

    Исследование влияния растворителей и поверхностно-активных веществ на электрические свойства пленок PEDOT: PSS

    Физическая электроника
    Поздеев В.А. Уваров А.В.Гудовских А.С.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 32
    • 5940
    • Страницы: 468-472

    Вольт-фарадные характеристики слоев BP, выращенных методом PECVD

    Физическая электроника
    Вторыгин Г.Э.Баранов А.И.Уваров А.В.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 23
    • 4930
    • Страницы: 473-478

    Плазмохимическое осаждение фосфида бора и его оптические свойства

    Физическое материаловедение
    Максимова А.А.Уваров А.В.Поздеев В.А. Кириленко Д.А.Баранов А.И.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 37
    • 5547
    • Страницы: 273-277

    Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si

    Физическая электроника
    Вячеславова Е.А.Уваров А.В.Максимова А.А.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 26
    • 3625
    • Страницы: 199-203

    Влияние плазменной обработки in situ при атомно-слоевом осаждении GaN на скорость роста и морфологию пленки

    Физика молекул, кластеров и наноструктур
    Максимова А.А.Уваров А.В.Вячеславова Е.А.Баранов А.И.Ярчук Э.Я.Гудовских А.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 20
    • 3223
    • Страницы: 152-156

    Деградация солнечных гетероструктурных элементов под воздействием потока электронов

    Физическая оптика
    Михайлов О.П.Баранов А.И.Уваров А.В.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.Шварц М.З.Теруков Е.И.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 15
    • 3247
    • Страницы: 251-255

    Влияние поверхностно-активных веществ на поверхностное натяжение водного раствора PEDOT: PSS

    Физическое материаловедение
    Поздеев В.А. Уваров А.В.Гудовских А.С.Монастыренко А.О.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 19
    • 3774
    • Страницы: 279-282

    Спектроскопия полной проводимости гетероструктур фосфида бора на кремниевых подложках, полученных методом плазмохимического осаждения

    Физика конденсированного состояния
    Баранов А.И.Вторыгин Г.Э.Уваров А.В.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3
    • 27
    • 4334
    • Страницы: 17-24

    Формирование черного кремния с использованием криогенного травления и слоя фоторезиста

    Физическая электроника
    Вячеславова Е.А.Мохов Д.В.Уваров А.В.Максимова А.А.Михайлов О.П.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 8
    • 1326
    • Страницы: 182-186

    Структурные и оптические свойства слоев InP, полученных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения при различных температурах

    Физическое материаловедение
    Уваров А.В.Баранов А.И.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Поздеев В.А. Михайлов О.П.Никитина Е.В.Гудовских А.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 8
    • 1324
    • Страницы: 247-251

    Исследование емкостных характеристик многослойных структур GaN/InP

    Физическое материаловедение
    Михайлов О.П.Баранов А.И.Поздеев В.А. Уваров А.В.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 10
    • 1199
    • Страницы: 258-262