Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT:PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур
Изучены фотоэлектрические свойства гибридных солнечных элементов на основе кремниевых нановолокон (SiNWs) и поли(3,4-этилендиокситиофен)-полистиролсульфоната (PEDOT:PSS). Высокие значения напряжения холостого хода (Vхх) и внешней квантовой эффективности в коротковолновой области, полученные для планарных солнечных элементов, указывают на достаточные пассивирующие свойства интерфейса n-Si/PEDOT:PSS. Технология заполнения SiNWs (6 мкм в высоту и 1.7 мкм в диаметре) слоем PEDOT:PSS была разработана с использованием метода G-центрифугирования. По сравнению с подобным кремниевым планарным элементом, солнечный элемент с радиальным p–n-переходом демонстрирует гораздо более низкий общий коэффициент отражения (~ 12%) и более высокую квантовую эффективность в диапазоне длин волн 430–1200 нм. Следует подчеркнуть, что увеличение толщины слоя PEDOT:PSS за счет комбинации G- и горизонтального центрифугирования не влияет на коротковолновую область EQE. Этот факт важен для разработки гибких солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур.