НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    АвторБаранов Артем Игоревич
    Подать статью
    Последние выпуски
    Баранов Артем Игоревич
    Баранов Артем Игоревич
    Место работы
    Академический университет им. Ж.И. Алферова
    Санкт-Петербург, Российская Федерация
    Публикации
    Orcid ID
    0000-0002-4894-6503

    Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H (i)/ μc-Si:H (n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния

    Физическая электроника
    Уваров А.В.Баранов А.И.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 17
    • 5687
    • Страницы: 150-154

    Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства

    Физическая электроника
    Максимова А.А.Уваров А.В.Кириленко Д.А.Баранов А.И.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 42
    • 6477
    • Страницы: 123-127

    Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

    Физическое материаловедение
    Бондаренко Д.Н.Гридчин В.О.Котляр К.П.Баранов А.И.Максимова А.А.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 38
    • 5868
    • Страницы: 281-284

    Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

    Физическое материаловедение
    Бондаренко Д.Н.Гридчин В.О.Котляр К.П.Резник Р.Р.Кириленко Д.А.Баранов А.И.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Максимова А.А.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 68
    • 5657
    • Страницы: 179-184

    Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Кияницын С.Ю.Баранов А.И.Уваров А.В.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 19
    • 4682
    • Страницы: 90-95

    Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Вячеславова Е.А.Уваров А.В.Максимова А.А.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 11
    • 4981
    • Страницы: 176-181

    Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT: PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур

    Физическая электроника
    Вячеславова Е.А.Уваров А.В.Неплох В.В.Максимова А.А.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 50
    • 5525
    • Страницы: 10-17

    Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния

    Физическая электроника
    Вячеславова Е.А.Уваров А.В.Максимова А.А.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 18
    • 4585
    • Страницы: 434-438

    Вольт-фарадные характеристики слоев BP, выращенных методом PECVD

    Физическая электроника
    Вторыгин Г.Э.Баранов А.И.Уваров А.В.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 22
    • 4448
    • Страницы: 473-478

    Плазмохимическое осаждение фосфида бора и его оптические свойства

    Физическое материаловедение
    Максимова А.А.Уваров А.В.Поздеев В.А. Кириленко Д.А.Баранов А.И.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 36
    • 4879
    • Страницы: 273-277

    Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в солнечных элементах HJT архитектуры под действием облучения электронами

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Михайлов О.П.Баранов А.И.Гудовских А.С.Теруков Е.И.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 27
    • 4029
    • Страницы: 160-164

    Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si

    Физическая электроника
    Вячеславова Е.А.Уваров А.В.Максимова А.А.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 23
    • 3084
    • Страницы: 199-203

    Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN

    Физическая оптика
    Синицкая О.А.Шубина К.Ю.Мохов Д.В.Баранов А.И.Мизеров А.М.Никитина Е.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 22
    • 3193
    • Страницы: 220-223

    Влияние плазменной обработки in situ при атомно-слоевом осаждении GaN на скорость роста и морфологию пленки

    Физика молекул, кластеров и наноструктур
    Максимова А.А.Уваров А.В.Вячеславова Е.А.Баранов А.И.Ярчук Э.Я.Гудовских А.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 15
    • 2694
    • Страницы: 152-156

    Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики

    Физическая электроника
    Баранцев О.В.Василькова Е.И.Пирогов Е.В.Шубина К.Ю.Баранов А.И.Воропаев К.О.Васильев А.А.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.Соболев М.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 25
    • 2895
    • Страницы: 182-186

    Деградация солнечных гетероструктурных элементов под воздействием потока электронов

    Физическая оптика
    Михайлов О.П.Баранов А.И.Уваров А.В.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.Шварц М.З.Теруков Е.И.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 11
    • 2736
    • Страницы: 251-255

    Спектроскопия полной проводимости гетероструктур фосфида бора на кремниевых подложках, полученных методом плазмохимического осаждения

    Физика конденсированного состояния
    Баранов А.И.Вторыгин Г.Э.Уваров А.В.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3
    • 26
    • 3733
    • Страницы: 17-24

    Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии

    Физика конденсированного состояния
    Голтаев А. С.Федина С.В.Федоров В.В.Можаров А.М.Новикова К.Н.Максимова А.А.Баранов А.И.Кавеев А.К.Павлов А.В.Минив Д.В.Устименко Р.В.Винниченко М.Я.Мухин И.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 2
    • 52
    • 4447
    • Страницы: 9-21

    Формирование черного кремния с использованием криогенного травления и слоя фоторезиста

    Физическая электроника
    Вячеславова Е.А.Мохов Д.В.Уваров А.В.Максимова А.А.Михайлов О.П.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 4
    • 750
    • Страницы: 182-186

    Структурные и оптические свойства слоев InP, полученных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения при различных температурах

    Физическое материаловедение
    Уваров А.В.Баранов А.И.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Поздеев В.А. Михайлов О.П.Никитина Е.В.Гудовских А.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 3
    • 726
    • Страницы: 247-251

    Исследование емкостных характеристик многослойных структур GaN/InP

    Физическое материаловедение
    Михайлов О.П.Баранов А.И.Поздеев В.А. Уваров А.В.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 8
    • 696
    • Страницы: 258-262

    Влияние температуры на световые вольтамперные характеристики гетероструктурных солнечных элементов, изготовленных на подложках кремния, легированного галлием

    Физика конденсированного состояния
    Атабоев О.К.Утамурадова Ш.Б.Теруков Е.И.Баранов А.И.Иниятова К.Х.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1
    • 14
    • 444
    • Страницы: 30-42