Последние выпуски
Василькова Елена Игоревна
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алферова
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 12
- 4483
- Страницы: 133-137
Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 25
- 2895
- Страницы: 182-186
Структурные и морфологические особенности гетероструктур InGaAs/InP фотодетекторов с длиной волны отсечки 2.5 мкм с различным профилем метаморфного буферного слоя
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 10
- 696
- Страницы: 172-177

