Последние выпуски
- 2026, Том 19 Выпуск 1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 4.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
Синицкая Олеся Алексеевна
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алферова
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 36
- 5317
- Страницы: 157-162
Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 10
- 4179
- Страницы: 133-137
Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 15
- 4024
- Страницы: 439-443
Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 16
- 2869
- Страницы: 220-223
Детекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 11
- 3699
- Страницы: 100-104
Высокочувствительные и малошумящие ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 2
- 340
- Страницы: 196-199