Последние выпуски
Синицкая Олеся Алексеевна
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алферова
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 36
- 5622
- Страницы: 157-162
Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 12
- 4483
- Страницы: 133-137
Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 15
- 4346
- Страницы: 439-443
Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 22
- 3193
- Страницы: 220-223
Детекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 16
- 4025
- Страницы: 100-104
Высокочувствительные и малошумящие ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 3
- 610
- Страницы: 196-199

