НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    АвторШубина Ксения Юрьевна
    Подать статью
    Последние выпуски
    Шубина Ксения Юрьевна
    Шубина Ксения Юрьевна
    Место работы
    Академический университет им. Ж.И. Алферова
    Санкт-Петербург, Российская Федерация
    Публикации
    Orcid ID
    0000-0003-1835-1629

    Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

    Физическая оптика
    Синицкая О.А.Шубина К.Ю.Мохов Д.В.Уваров А.В.Филатов В.В.Мизеров А.М.Тимошнев С.Н.Никитина Е.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 37
    • 5733
    • Страницы: 157-162

    Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs

    Физика конденсированного состояния
    Никитина Е.В.Березовская Т.Н.Пирогов Е.В.Василькова Е.И.Шубина К.Ю.Синицкая О.А.Соболев М.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 12
    • 4586
    • Страницы: 133-137

    Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3

    Физическая электроника
    Синицкая О.А.Шубина К.Ю.Мохов Д.В.Уваров А.В.Мизеров А.М.Никитина Е.В.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 16
    • 4462
    • Страницы: 439-443

    Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN

    Физическая оптика
    Синицкая О.А.Шубина К.Ю.Мохов Д.В.Баранов А.И.Мизеров А.М.Никитина Е.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 23
    • 3300
    • Страницы: 220-223

    Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики

    Физическая электроника
    Баранцев О.В.Василькова Е.И.Пирогов Е.В.Шубина К.Ю.Баранов А.И.Воропаев К.О.Васильев А.А.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.Соболев М.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 25
    • 3009
    • Страницы: 182-186

    Исследование слоев GaPN (As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках

    Физическое материаловедение
    Никитина Е.В.Шубина К.Ю.Соболев М.С.Пирогов Е.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 16
    • 3059
    • Страницы: 275-278

    Детекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Шубина К.Ю.Синицкая О.А.Эннс Я.Б.Мизеров А.М.Никитина Е.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 16
    • 4121
    • Страницы: 100-104

    Влияние быстрого термического отжига на свойства структур GaPN (As), выращенных на кремниевых подложках

    Физика конденсированного состояния
    Хруль С.Н.Шубина К.Ю.Пирогов Е.В.Кавеев А.К.Никитина Е.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 7
    • 774
    • Страницы: 45-48

    Высокочувствительные и малошумящие ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN

    Физическая оптика
    Синицкая О.А.Шубина К.Ю.Мизеров А.М.Никитина Е.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 4
    • 698
    • Страницы: 196-199