Последние выпуски
Кавеев Андрей Камильевич
Место работы
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Публикации
Orcid ID
0000-0002-3640-677XФормирование диэлектрической гетероструктуры-подслоя для получения пленок теллурида свинца-олова
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 20
- 5059
- Страницы: 158-161
Фотолюминесценция самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов InAs, разбавленных азотом
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 15
- 3277
- Страницы: 34-37
Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 2
- 47
- 4527
- Страницы: 120-133
Формирование разбавленных нитридных нитевидных нанокристаллов InAs1-хNх по типу ядро-оболочка на кремнии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 4
- 22
- 4032
- Страницы: 88-97
Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 2
- 52
- 4448
- Страницы: 9-21
Влияние быстрого термического отжига на свойства структур GaPN (As), выращенных на кремниевых подложках
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 6
- 677
- Страницы: 45-48
Мемристорный эффект в гетероструктурах на основе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия на кремнии
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 4
- 20
- 856
- Страницы: 9-20
Эффект резистивного переключения в гетероструктурах n-GaN/p-Si
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1
- 16
- 423
- Страницы: 9-18
Влияние буферного слоя на механическую прочность интерфейса нанопровод-подложка
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1.1
- 0
- 64
- Страницы: 75-80

