Формирование диэлектрической гетероструктуры-подслоя для получения пленок теллурида свинца-олова

Оптимизированы ростовые параметры буферного подслоя для дальнейшего нанесения пленок Pb_1-xSn_xTe (x ≥ 0.4) с точки зрения планарности и кристаллического качества. Трехкомпонентная гетероструктура, состоящая из слоев CaF₂, BaF₂, и Pb_0.7Sn_0.3Te:In сформирована на поверхности Si(111). Изучено влияние температуры роста и толщины на морфологию поверхности гетероструктуры.