Dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon with different surface orientation

Исследованы закономерности влияния ориентации исходной подложки и условий постимплантационного отжига на интенсивность и температурную зависимость интенсивности линии D1 для образцов кремния  p-типа, имплантированного ионами кремния, с последующим отжигом. Показано, что люминесцентные свойства образцов зависят как от ориентации поверхности, так и от температуры отжига. Для образца Si (111)  при определенных условиях термообработки продемонстрировано аномальное поведение температурной зависимости интенсивности линии D1 с появлением второго максимума на этой зависимости при  температурах порядка 80 К.