НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    • cover_79
    Год: 2025
    Том: 18
    Выпуск: 1.1
    Страниц: 159
    613
    106155
    Предыдущий выпускАрхив выпусковСледующий выпуск
    Подать статью
    Полный текст
    XML JATS
    Последние выпуски

    Процессы спин-решеточной релаксации ядер в GaAs: Mn

    Объемные свойства полупроводников
    Бердников В.С.Кавокин К.В.Кузнецова М.С.Литвяк В.М.Бажин П.С.
    • 57
    • 4456
    • Страницы: 6-10

    Неидеальная экспериментально наблюдаемая фаза Берри в монокристалле топологического изолятора Bi2Se3

    Объемные свойства полупроводников
    Фоминых Б.М.Ирхин В.Ю.Перевалова А.Н.Наумов С.В.Марченков В.В.
    • 38
    • 4465
    • Страницы: 11-16

    Эпитаксиальный рост AlGaAs из Bi-содержащих расплавов

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Хвостикова О.А.Корниенко П.Д.Хвостиков В.П.Салий Р.А.
    • 18
    • 4308
    • Страницы: 17-21

    Наноструктурная инженерия наноматериалов на основе ZnO, содопированного Cu и Al, для сенсорных и фотокаталитических приложений

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Якушова Н.Д.Филиппов И.А.Карманов А.А.Губич И.А.Пронин И.А.
    • 15
    • 4181
    • Страницы: 22-27

    Пассивация фронтальной поверхности фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения на основе узкозонных материалов

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Сорокина С.В.Хвостикова О.А.Корниенко П.Д.Хвостиков В.П.
    • 17
    • 4240
    • Страницы: 28-33

    Оптические характеристики пленок Hg0.7Cd0.3Te со стравленным поверхностным варизонным слоем

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Ружевич М.С.Мынбаев К.Д.Фирсов Д.Д.Чуманов И.В.Комков О.С.Варавин В.С.Якушев М.В.
    • 27
    • 4047
    • Страницы: 34-39

    Исследование структурных и электрофизических свойств эпитаксиальных пленок титаната бария

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Ладанова Ю.А.Загороднева В.Н.Дворцова П.А.Сутурин С.М.Федоров В.В.Устинов А. Б.Сахаров В.И.Соколов Н.С.
    • 22
    • 4228
    • Страницы: 40-45

    Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Никитина Е.В.Цацульников А.Ф.
    • 24
    • 4057
    • Страницы: 46-51

    Влияние магнитного поля на интерфейсные состояния в структурах с квантовыми ямами ZnSe/BeTe без общего атома

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Зедоми Т.Э.Белова Д.Д.Котова Л.В.Кочерешко В.П.
    • 8
    • 4062
    • Страницы: 52-57

    Влияние различных типов фононов на разогрев двумерного электронного газа на гетероинтерфейсе GaN/AlGaN

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Мелентьев Г.А.Винниченко М.Я.Караулов Д.А.Фирсов Д.А.
    • 20
    • 4139
    • Страницы: 58-66

    Влияние подсветки на положительное магнетосопротивление высокоподвижного двумерного электронного газа в гетероструктуре GaAs/AlAs

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Бетке И.А.Стрыгин И.С.Колосовский Е.А.Быков А.А.
    • 12
    • 3992
    • Страницы: 67-71

    Анализ зарядового транспорта в туннельном переходе на основе магнитного изолятора CrCl3

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Бахметьев М.В.Чиглинцев Э.Барулина Е.Ю.Шевякова К.В.Морозов А.Д.Клещ В.И.Чернов А.И.
    • 21
    • 4129
    • Страницы: 72-76

    Исследование флуоресцентных свойств гибридных структур на основе углеродных точек, а также нитевидных нанокристаллов: GaP, GaN и Si

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Козко И.А.Карасёва Е.П.Свинкин Н.А.Ридер М.А.Вячеславова Е.А.Гридчин В.О.Федоров В.В.Кондратьев В.М.Большаков А.Д.
    • 14
    • 3959
    • Страницы: 77-82

    Комбинационное рассеяние света в напряженных нитевидных нанокристаллах GaN

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Шаров В.А.
    • 10
    • 3890
    • Страницы: 83-87

    Влияние геометрии на оптические свойства полупроводниковых квантовых точек

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Аветисян А.Г.Винниченко М.Я.Акопян Э.С.
    • 16
    • 3838
    • Страницы: 88-94

    Узкополосная флуоресценция центров окраски «кремний-вакансия» в наноалмазах, помещенных в кольцевой микрорезонатор

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Живописцев А.А.Ромшин А.М.Пастернак Д.Г.Калашников Д.Баграмов Р.Х.Филоненко В.П.Власов И.И.
    • 16
    • 4195
    • Страницы: 95-99

    Детекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Шубина К.Ю.Синицкая О.А.Эннс Я.Б.Мизеров А.М.Никитина Е.В.
    • 16
    • 4025
    • Страницы: 100-104

    Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSbP на характеристики InAsSb-светодиодов

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Кириленко Я.Д.Ружевич М.С.Романов В.В.Моисеев К.Д.Дорогов М.В.Томкович М.В.Фирсов Д.Д.Чуманов И.В.Комков О.С.Мынбаев К.Д.
    • 22
    • 3922
    • Страницы: 105-110

    Оптимизация параметров фронтальной контактной сетки фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Малевская А.Д.Минтаиров М.А.Евстропов В.В.Малевский Д.А.Малевская А.В.Калюжный Н.А.
    • 15
    • 3918
    • Страницы: 111-116

    Увеличение ширины полосы модуляции вертикально-излучающих лазеров 1550 нм при акцепторном легировании активной области

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Гладышев А.Г.Андрюшкин В.В.Ковач Я.Н.Бабичев А.В.Воропаев К.О.Егоров А.Ю.Карачинский Л.Я.
    • 20
    • 3943
    • Страницы: 117-121

    Нанокомпозиты WOx/WS2 для газовых сенсоров, работающих при комнатной температуре

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Зырянова О.Д.Налимова С.С.Кондратьев В.М.Буй К.Д.Мошников В.А.
    • 19
    • 4028
    • Страницы: 122-127

    Влияние температуры на ширину спектральной линии излучения одномодовых ВИЛ спектрального диапазона 89Х нм

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Ковач Я.Н.Блохин С.А.Бобров М.A.Блохин А.А.Малеев Н.А.Васильев А.П.
    • 9
    • 3988
    • Страницы: 128-133

    Влияние нанослоев Ge на эффект переключения сопротивления в структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Чэн Ю.Камаев Г.Н.Попов А.А.Володин В.А.
    • 9
    • 3923
    • Страницы: 134-139

    Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p-i-n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Солдатенков Федор ЮрьевичПуговкин А.А.Иванов А.Е.Малевский Д.А.Левин С.В.
    • 7
    • 4030
    • Страницы: 140-144

    Сенсорика кислот и щелочей на основе нитевидных нанокристаллов кремния

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Свинкин Н.А.Кондратьев В.М.Полозков Р.Г.Новикова К.Н.Зубов Ф.И.Можаров А.М.Большаков А.Д.
    • 19
    • 4112
    • Страницы: 145-151

    Исследование резонаторных оптических свойств микрокристаллов перилена

    Новые материалы
    Смирнов К.А.Жабоев Е.И.Митетело Н.В.Майдыковский А.И.Мурзина Т.В.
    • 18
    • 4080
    • Страницы: 152-157