Фирсов Дмитрий Дмитриевич
Фирсов Дмитрий Дмитриевич
Место работы
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» имени В.И. Ульянова (Ленина)
Санкт-Петербург, Российская Федерация

Исследование температурной зависимости энергетического спектра метаморфных гетероструктур InSb/In (Ga, Al) As/GaAs с помощью метода инфракрасной Фурье-спектроскопии фотоотражения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 34
  • 5036
  • Страницы: 47-52

Характеризация анизотропии оптических свойств черного фосфора методами ИК фурье-спектроскопии

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 29
  • 5102
  • Страницы: 228-232

Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 52
  • 4001
  • Страницы: 62-67

Поляризационная спектроскопия отражения алюминиевых наноантенн на поверхности излучающих гетероструктур GeSiSn/Si

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 41
  • 4142
  • Страницы: 83-88

Оптические характеристики пленок Hg0.7Cd0.3Te со стравленным поверхностным варизонным слоем

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 27
  • 4334
  • Страницы: 34-39

Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSbP на характеристики InAsSb-светодиодов

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 27
  • 4223
  • Страницы: 105-110

Оптические исследования гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 6
  • 975
  • Страницы: 91-94

Исследование температурной зависимости инфракрасной фотолюминесценции множественных квантовых ям GeSn/Si и GeSiSn/Si

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 5
  • 448
  • Страницы: 45-50

Фотолюминесценция и фотоотражение длинноволновой гетероструктуры HgTe/CdHgTe

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 3
  • 447
  • Страницы: 51-55

Фотолюминесценция и фотоотражение отожженных пленок HgCdTe с большим содержанием CdTe

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 14
  • 486
  • Страницы: 6-11