Последние выпуски
Моисеев Константин Дмитриевич
Место работы
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Стимулированное излучение в светодиодах на основе асимметричных гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 12
- 5077
- Страницы: 191-195
Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1-ySby/InAsSbP с y = 0,07−0,12
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 27
- 3680
- Страницы: 77-82
Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSbP на характеристики InAsSb-светодиодов
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 22
- 3922
- Страницы: 105-110
Оптические исследования гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 5
- 694
- Страницы: 91-94
Излучательная рекомбинация в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1.1
- 1
- 69
- Страницы: 33-38

