Последние выпуски
- 2026, Том 19 Выпуск 1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 4.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
Моисеев Константин Дмитриевич
Место работы
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Стимулированное излучение в светодиодах на основе асимметричных гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 11
- 4807
- Страницы: 191-195
Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1-ySby/InAsSbP с y = 0,07−0,12
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 27
- 3365
- Страницы: 77-82
Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSbP на характеристики InAsSb-светодиодов
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 22
- 3643
- Страницы: 105-110
Оптические исследования гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 3
- 392
- Страницы: 91-94