Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSbP на характеристики InAsSb-светодиодов

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Авторы:
Кириленко Я.Д. Ружевич М.С. Романов В.В. Моисеев К.Д. Дорогов М.В. Томкович М.В. Фирсов Д.Д. Чуманов И.В. Комков О.С. Мынбаев К.Д.
Аннотация:

Методами энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии, оптического отражения и фотолюминесценции исследованы свойства барьерных слоев InAsSbP в гетероструктурах (ГС) InAsSb/InAsSbP и их влияние на характеристики ГС. Обнаружено отклонение химического состава слоев от заданного значения, а также наличие акцепторных состояний в их запрещенной зоне. Эти особенности определяют природу излучательных переходов в ГС.