Излучательная рекомбинация в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP

Всесторонне исследована электролюминесценция гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP с различным содержанием Sb в узкозонном слое InAsSb. Электролюминесцентные свойства гетероструктур исследовались при приложении смещения как в прямом, так и в обратном направлениях при температуре T = 77 К. Установлено, что в различных частях гетероструктур реализуются межзонный и интерфейсный механизмы излучательной рекомбинации, что проявляется в наличии двух полос излучения с разной длиной волны в спектрах электролюминесценции при прямом смещении. Механизмы рекомбинации объяснены с использованием зонных диаграмм гетероструктур, рассчитанных для T = 77 К и обоих направлений внешнего смещения.