Влияние происхождения алмаза на свойства NV-центров

Объемные свойства полупроводников
Авторы:
Аннотация:

Методами оптически детектируемого магнитного резонанса (ОДМР) и фотолюминесценции (ФЛ) были исследованы образцы алмазов различного происхождения, содержащих NV-центры. Было показано, что различные примеси и деформационные дефекты могут оказывать значительное влияние на кристаллическое окружение и свойства NV-центров. Это влияние отражается в таких характеристиках, как распределение NV-центров по объему кристалла, их зарядовое состояние (соотношение нейтральных NV-центров к отрицательно заряженным), механические напряжения и деформации их кристаллического окружения, взаимодействие с донором азота, влияющим на их когерентные свойства, и их ориентация в алмазной решетке.