Время жизни электронов и дырок в чистом Si при темпе- ратуре 40 мК
Авторы:
Аннотация:
В статье представлены результаты исследования экспериментальных токовых откликов кремниевой p+-n-n+-структуры толщиной 3 мм, работающей при температуре 40 мК. Анализ данных показал уменьшение времени жизни носителей заряда в кремнии до 50−70 нс для электронов и 350 нс для дырок, что является наиболее критичным фактором для ограничения внутреннего теплового усиления в болометрических детекторах, основанных на эффекте Джоуля-Ленца, и должно учитываться при оптимизации конструкции детектора.