НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    Последние выпуски

    Статьи из рубрики "Объемные свойства полупроводников"

    Влияние происхождения алмаза на свойства NV-центров

    Объемные свойства полупроводников
    Яковлева В.В.Лихачев К.В.Музафарова М.В.Бабунц Р.А.Баранов П.Г.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 25
    • 1087
    • Страницы: 27-32

    Время жизни электронов и дырок в чистом Si при темпе- ратуре 40 мК

    Объемные свойства полупроводников
    Исаков И.Д.Вербицкая Е.М.Еремин В.К.Фадеева Н.Н.Еремин И.В.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 25
    • 993
    • Страницы: 21-26

    Индуцированная электрическим полем анизотропия поглощения и преломления терагерцового излучения в n-InSb

    Объемные свойства полупроводников
    Устименко Р.В.Шалыгин В.А.Караулов Д.А.Норватов И.А.Мелентьев Г.А.Винниченко М.Я.Фирсов Д.А.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 12
    • 995
    • Страницы: 12-20

    Фотолюминесценция и фотоотражение отожженных пленок HgCdTe с большим содержанием CdTe

    Объемные свойства полупроводников
    Балашов В.С.Ружевич М.С.Чуманов И.В.Фирсов Д.Д.Комков О.С.Мынбаев К.Д.Ремесник В.Г.Варавин В.С.Михайлов Н.Н.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 30
    • 1070
    • Страницы: 6-11

    Неидеальная экспериментально наблюдаемая фаза Берри в монокристалле топологического изолятора Bi2Se3

    Объемные свойства полупроводников
    Фоминых Б.М.Ирхин В.Ю.Перевалова А.Н.Наумов С.В.Марченков В.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 42
    • 5404
    • Страницы: 11-16

    Процессы спин-решеточной релаксации ядер в GaAs:Mn

    Объемные свойства полупроводников
    Бердников В.С.Кавокин К.В.Кузнецова М.С.Литвяк В.М.Бажин П.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 64
    • 5446
    • Страницы: 6-10

    Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn

    Объемные свойства полупроводников
    Бердников В.С.Кузнецова М.С.Кавокин К.В.Джиоев Р.И.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 41
    • 4847
    • Страницы: 31-36

    Разрушение проводящего состояния переменным электрическим полем в комплексах нафталоцианинов

    Объемные свойства полупроводников
    Пшеничный В.А.Дубинина Т.В.Дроздов К.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 23
    • 4615
    • Страницы: 25-30

    Особенности изовалентного легирования арсенида галлия ионами висмута

    Объемные свойства полупроводников
    Здоровейщев Д.А.Вихрова О.В.Данилов Ю.А.Дудин Ю.А.Здоровейщев А.В.Парафин А.Е.Дроздов М.Н.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 23
    • 5142
    • Страницы: 20-24

    Оптические свойства эпитаксиальных слоев GaN в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах

    Объемные свойства полупроводников
    Мелентьев Г.А.Караулов Д.А.Костромин Н.А.Винниченко М.Я.Фирсов Д.А.Шалыгин В.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 69
    • 5246
    • Страницы: 12-19

    Спин-зависимое фотонное эхо для ансамбля трехуровневых систем

    Объемные свойства полупроводников
    Жиляков В.Л.Югова И.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 48
    • 4736
    • Страницы: 6-11

    Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

    Объемные свойства полупроводников
    Осинных И.В.Малин Т.В.Журавлев К.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 25
    • 5989
    • Страницы: 33-38

    Магнитосопротивление и эффект Холла в полуметалле Вейля WTe2

    Объемные свойства полупроводников
    Перевалова А.Н.Фоминых Б.М.Чистяков В.В.Наумов С.В.Неверов В.Н.Марченков В.В.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 112
    • 6454
    • Страницы: 26-32

    Изучение свойств ядерной спиновой системы объемных слоев n-GaAs методом спектроскопии отогрева

    Объемные свойства полупроводников
    Литвяк В.М.Чербунин Р.В.Солдатенков Федор ЮрьевичКалевич В.К.Кавокин К.В.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 36
    • 6275
    • Страницы: 20-25

    Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

    Объемные свойства полупроводников
    Петрук А.Д.Харин Н.Ю.Винниченко М.Я.Норватов И.А.Федоров В.В.Фирсов Д.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 43
    • 5569
    • Страницы: 14-19

    Аналитический и численный расчеты магнитных свойств системы неупорядоченных спинов в модели Изинга

    Объемные свойства полупроводников
    Богословский Н.А.Петров П.В.Аверкиев Н.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 52
    • 5640
    • Страницы: 7-13