Изучение свойств ядерной спиновой системы объемных слоев n-GaAs методом спектроскопии отогрева

Объемные свойства полупроводников
Авторы:
Аннотация:

В данной работе представлены возможности экспериментальной методики спектроскопии отогрева ядерных спинов. Данная методика основана на отогреве переменным магнитным полем оптически охлажденных  ядерных спинов. Она позволяет изучать термодинамические характеристики охлажденной спиновой системы ядер объемных слоев n-GaAs. К таким характеристикам можно отнести спектры отогрева и ядерного  спинового коррелятора, а также ядерные локальные поля. Создание данной методики направлено на изучение и анализ ядерных спиновых флуктуаций с целью их дальнейшего контроля и подавления.