Винниченко Максим Яковлевич
  • Место работы
    Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Время жизни носителей заряда в сверхрешетках InAs / GaSb

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 643
  • 8449
  • Страницы: 15-21

Фотоиндуцированное поглощение в структурах с квантовыми точками Ce/Si

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2011
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 7401
  • Страницы: 46-50

Рекомбинация и захват электронов в лазерных наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 7290
  • Страницы: 9-15

Оптическое поглощение в квантовых точках Ge/Si при разных степенях заполнения состояний точек

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 7519
  • Страницы: 9-15

Исследование оптических свойств фотодитазина для расширения возможностей фотодинамической терапии

Биофизика и медицинская физика
  • Год: 2014
  • Выпуск: 3
  • 18
  • 7735
  • Страницы: 110-117

Примесная терагерцовая люминесценция  в наноструктурах с квантовыми ямами  при межзонном фотовозбуждении

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 88
  • 7417
  • Страницы: 56-65

Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 114
  • 7444
  • Страницы: 66-76

Дальнее инфракрасное излучение горячих двумерных электронов в одиночном гетеропереходе AIGaN/CaN

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 7082
  • Страницы: 25-30

Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 36
  • 2739
  • Страницы: 14-19

Межзонная фотолюминесценция нитевидных нанокристаллов InAs(P)/Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 25
  • 2863
  • Страницы: 101-107

Влияние стимулированного межзонного излучения на терагерцовую фотолюминесценцию в слоях арсенида галлия n-типа

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3
  • 187
  • 3041
  • Страницы: 29-38

Оптические свойства эпитаксиальных слоев GaN в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 46
  • 1925
  • Страницы: 12-19

Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 19
  • 1612
  • Страницы: 143-148

Фотоиндуцированное поглощение света в квантовых точках Ge/Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 35
  • 2057
  • Страницы: 105-112

Нелинейные оптические эффекты в мезопористых SiO2 и Si/SiO2 наночастицах

Физическая оптика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 9
  • 637
  • Страницы: 207-211