Межзонная фотолюминесценция нитевидных нанокристаллов InAs(P)/Si

Нитевидные полупроводниковые нанокристаллы имеют ряд преимуществ по сравнению с пленками и объемными полупроводниковыми материалами, которые позволяют использовать их для создания эффективных детекторов и источников излучения. В настоящей работе были получены спектры фотолюминесценции радиально гетероструктурированных нитевидных нанокристаллов InAs, InAs/CaF₂ и InAs/InP (ядро/оболочка) в ближнем инфракрасном диапазоне при различных уровнях оптической накачки и различных температурах при помощи вакуумного фурье-спектрометра, работающего в пошаговом режиме. Обнаруженные в спектрах пики объяснены межзонными переходами носителей заряда в InAs разной кристаллической модификации: сфалерит и вюрцит. Из спектров нитевидных нанокристаллов, покрытых CaF₂, видно, что в этом случае  пассивация поверхности не изменяет спектральные особенности люминесценции. В то же время интенсивность фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InAs/InP больше, чем у чистых нитевидных  нанокристаллов InAs. Таким образом, поверхностная пассивация может уменьшить влияние поверхностных состояний на оптические свойства нитевидных нанокристаллов.