Статьи по ключевому слову "нитевидные нанокристаллы"
Эффект резистивного переключения в гетероструктурах n-GaN/p-Si
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1
- 24
- 1018
- Страницы: 9-18
Численное моделирование оптического пропускания направляющих 2×2-разветвителей на основе нитевидных нанокристаллов GaP
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 9
- 1134
- Страницы: 76-80
Оптические свойства и моделирование поверхностных плазмон поляритонов GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов на пленках Ag/AlOx для создания плазмонных нанолазеров
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 11
- 1279
- Страницы: 278-282
Влияние буферного слоя GaAs на характеристики нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(111)
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 6
- 1217
- Страницы: 152-155
Рост методом МПЭ вюрцитных нитевидных нанокристаллов AlGaAs с включениями кубической кристаллографической фазы
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 9
- 1298
- Страницы: 148-151
Рост нитевидных нанокристаллов GaN с вставками InN с помощью МПЭ-ПА
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 8
- 1199
- Страницы: 139-142
Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si(111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 12
- 1330
- Страницы: 19-22
Мемристорный эффект в гетероструктурах на основе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия на кремнии
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 4
- 23
- 1405
- Страницы: 9-20
Сенсорика кислот и щелочей на основе нитевидных нанокристаллов кремния
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 22
- 4665
- Страницы: 145-151
Комбинационное рассеяние света в напряженных нитевидных нанокристаллах GaN
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 11
- 4383
- Страницы: 83-87
Исследование флуоресцентных свойств гибридных структур на основе углеродных точек, а также нитевидных нанокристаллов: GaP, GaN и Si
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 15
- 4459
- Страницы: 77-82
Численное исследование влияния геометрии нитевидных нанокристаллов GaP на эффективность экстракции света в красном светодиоде
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 23
- 3440
- Страницы: 84-87
Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 19
- 3889
- Страницы: 306-309
Модовый анализ оптических микрорезонаторов GaP
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 31
- 3930
- Страницы: 115-119
Фотолюминесценция самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов InAs, разбавленных азотом
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 16
- 3815
- Страницы: 34-37
Исследование проводимости одиночных нитевидных нанокристаллов GaP с помощью атомно-силовой микроскопии и численного моделирования
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 23
- 4144
- Страницы: 125-130
Температурная эволюция фотоэлектронных свойств нитевидных нанокристаллов фосфида галлия
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 36
- 4253
- Страницы: 119-124
Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 14
- 5046
- Страницы: 255-260
Анизотропия фотолюминесценции в гибридных наноструктурах на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и двумерных дихалькогенидов переходных металлов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 16
- 5129
- Страницы: 130-136
Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 16
- 4844
- Страницы: 289-293
На пути к универсальной фотонике, основанной на нитевидных нанокристаллах GaP, декорированных углеродными точками
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 26
- 5136
- Страницы: 187-192
Межзонная фотолюминесценция нитевидных нанокристаллов InAs(P)/Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 36
- 5532
- Страницы: 101-107
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 69
- 6178
- Страницы: 179-184
Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 31
- 5840
- Страницы: 341-345
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 26
- 5541
- Страницы: 153-157
Механические резонансы в конических нитевидных нанокристаллах
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 14
- 5729
- Страницы: 109-112
Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 39
- 6363
- Страницы: 281-284
Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 16
- 6217
- Страницы: 36-41
Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 26
- 6495
- Страницы: 31-35
Морфология нанокристаллов оксида олова, полученных методом газотранспортного синтеза
- Год: 2010
- Выпуск: 1
- 0
- 9779
- Страницы: 9-12

