Последние выпуски
- 2026, Том 19 Выпуск 1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 4.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
Шугуров Константин Юрьевич
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алфёрова РАН
Публикации
Orcid ID
0000-0001-8973-3187
Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3
- 27
- 3433
- Страницы: 46-56
Мемристорный эффект в гетероструктурах на основе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия на кремнии
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 4
- 17
- 521
- Страницы: 9-20
Эффект резистивного переключения в гетероструктурах n-GaN/p-Si
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1
- 1
- 25
- Страницы: 9-18