Эффект резистивного переключения в гетероструктурах n-GaN/p-Si

В работе представлены результаты исследования мемристорных гетероструктур на основе нитевидных нанокристаллов (ННК) n-GaN на кремниевой подложке p-Si, синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с разными интерфейсными слоями: нитридов кремния и алюминия (SiN и AlN). Установлено, что в зависимости от способа подготовки интерфейса меняется полярность записывающего напряжения. Кроме того, по данным емкостных измерений обнаружено, что после операции записи логического состояния емкость структуры при использовании слоя SiN снижается, тогда как для слоя AlN емкость повышается (с отличием в поведении ее релаксации).