Фотоэлектрические свойства диодов на основе полупроводникового силицида магния

В работе синтезирован и изучен непрямозонный полупроводник Mg₂Si, сформированный в виде поликристаллической пленки толщиной 682 нм. Силицидообразование установлено методами комбинационного рассеяния света и ИК-Фурье спектроскопии. С помощью рентгенофазового анализа определено преобладание в образце кристаллографического направления Mg₂Si (220). На основе измерений эффекта Холла был доказан электронный тип проводимости пленки. Из пленки были изготовлены фотодиодные структуры с p-n-переходами Al/Mg₂Si/Si-n/Au-Sb и Au/Mg₂Si/Si-n/Au-Sb. Измерены и проанализированы их вольтамперные характеристики. Установлены зависимости фотоотклика структур от длины волны излучения, знака и величины приложенного потенциала; выявлены их особенности. Анализ полученных экспериментальных данных показал, что при высокотемпературном отжиге кремния в нем формируется двойной p-n-переход с запорным слоем, который вместе с гетеропереходом Mg₂Si/Si-p определяет уникальные фотоспектральные характеристики.