Чернев Игорь Михайлович
Чернев Игорь Михайлович
Место работы
Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН
Публикации

Формирование, структура и оптические свойства однофазных пленок CaSi И CaSi2 на Si подложках

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 82
  • 6343
  • Страницы: 9-15

Электронная структура и оптические свойства пленок Cа2Si, выращенных кремниевых подложках с различной ориентацией и рассчитанных из первых принципов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 42
  • 6065
  • Страницы: 16-21

Вольтамперные и фотоэлектрические свойства диодов por-Si/Si-p/Si-n с разной толщиной пористого слоя

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 17
  • 5836
  • Страницы: 143-148

Ультратонкие моносилициды Cr и Fe на подложке Si (111): формирование, оптические и термоэлектрические свойства

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 24
  • 4760
  • Страницы: 84-89

Пленка Mg2Si на Si (111), полученная методом сверхбыстрого реактивного осаждения Mg: структура и термоэлектрические свойства

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 56
  • 5317
  • Страницы: 106-111

Сверхтонкие пленки CoSi на подложке Si (111): сравнение стадий формирования в сверхвысоком вакууме и при отжиге в аргоне

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 20
  • 2945
  • Страницы: 25-30

Синтез Mg2Si на кремниевых кристаллах с различным аспектным соотношением

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 23
  • 2776
  • Страницы: 31-35

Влияние режима роста на транспортные свойства легированных плёнок Mg2Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 2
  • 519
  • Страницы: 40-43

Фотодетектор на основе кремния с контактным слоем Mg2Si для коротковолнового ИК диапазона

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 3
  • 452
  • Страницы: 53-58

Синтез нанопроволок типа ядро-оболочка на основе Mg2Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 7
  • 467
  • Страницы: 36-39

Фотоэлектрические свойства диодов на основе полупроводникового силицида магния

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 109
  • Страницы: 19-29