Вольтамперные и фотоэлектрические свойства диодов por-Si/Si-p/Si-n с разной толщиной пористого слоя

Физическая электроника
Авторы:
Аннотация:

В данной работе проведен анализ вольтамперных и фотоэлектрических спектральных характеристик двойных гетеродиодов por-Si/Si-p/Si-n и эталонного диода с p-n переходом при комнатной температуре и сопоставление с данными о толщине слоев пористого кремния спектров фотолюминесценции синтезированных гетероструктур. Показано, что фотоспектральной чувствительностью в области 400-800 нм обладают диоды с однослойной структурой пористого кремния и его толщиной не более 2 мкм. При этом с уменьшением толщины пористого слоя амплитуда спектрального фотоотклика уменьшается. В диодах с двухслойной структурой пористого кремния (обычный пористый и древовидный пористый) и толщиной от 4,5 мкм до 17,4 мкм токи не протекают из-за быстрого окисления такой структуры. На основе экспериментальных данных предложена зонная энергетическая диаграмма двойного гетеродиода со слоем пористого кремния.